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专利号: 2019109975387
申请人: 青岛大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2025-12-18
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种碳自包覆微米级氧化钨的制备方法,其特征在于,包括:

采用水浴搅拌方法制备碳自包覆微米级氧化钨的前驱物;

将所述碳自包覆微米级氧化钨的前驱物在惰性气氛下进行煅烧处理,得到碳自包覆微米级氧化钨,所述碳自包覆微米级氧化钨为类石榴状结构,包括氧化钨颗粒和碳基质,所述氧化钨颗粒被均匀地包覆在所述碳基质内,所述碳自包覆微米级氧化钨用于钾离子电池负极;

其中,所述采用水浴搅拌方法制备碳自包覆微米级氧化钨的前驱物,包括:将碳源和钨源加入到分散剂中分散混合,获得混合溶液;对所述混合溶液进行搅拌,获得透明溶液;将所述透明溶液置于水浴锅中进行水浴加热搅拌;水浴搅拌结束后,进行清洗离心,然后真空干燥,获得碳自包覆微米级氧化钨的前驱物;

所述碳源为盐酸多巴胺、聚乙烯吡咯烷酮和乌洛托品中的两种或两种以上的混合物;

和/或,所述钨源为钨酸钠、钨酸锂和钨酸铵中的一种或两种以上的混合物;

所述碳源和所述钨源的质量比为10:1‑8:1;

所述对所述混合溶液进行搅拌,获得透明溶液,具体为:将所述混合溶液在常温下,搅拌5‑10 h,获得透明溶液;

所述将所述透明溶液置于水浴锅中进行自聚合反应,具体为:将所述透明溶液置于水浴锅中,在鼓风干燥箱中进行自聚合反应,反应温度为50‑80 ℃,反应时间为5‑10 h;

所述将所述碳自包覆微米级氧化钨的前驱物在惰性气氛下进行煅烧处理,得到碳自包覆微米级氧化钨,具体为:将所述碳自包覆微米级氧化钨的前驱物在惰性气氛下进行煅烧处理,烧结温度为450‑650 ℃,升温速率为2‑5 ℃ min‑1,煅烧时间为6‑10 h,冷却至室温,得到碳自包覆微米级氧化钨。

2.一种钾离子电池负极材料,其特征在于,包括铜箔和涂覆层,所述涂覆层为采用权利要求1所述的方法制备的碳自包覆微米级氧化钨材料。

3.一种钾离子电池,特征在于,所述钾离子电池的负极采用权利要求2所述的钾离子电池负极材料。