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专利号: 2019108500249
申请人: 苏州帕萨电子装备有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕
更新日期:2025-12-17
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种N型单晶异质结太阳能电池薄膜沉积装备,其特征在于,它包括:

沉积组件,所述沉积组件包括依次连接的第一L/L腔室、第一本征I层沉积腔室、P型掺杂非晶硅薄膜沉积腔室、第一转换腔室、第二本征I层沉积腔室、N型掺杂非晶硅薄膜沉积腔室、第二转换腔室、PVD腔室以及第二L/L腔室,各腔体之间采用真空锁结构连接;

输料组件,所述输料组件用于硅片的进料和出料,包括安装在所述沉积组件两端以及其各腔体内的输料单元。

2.根据权利要求1所述的N型单晶异质结太阳能电池薄膜沉积装备,其特征在于:它还包括支撑架体以及安装在所述支撑架体下方的电控箱体,所述沉积组件安装在所述支撑架体上。

3.根据权利要求1所述的N型单晶异质结太阳能电池薄膜沉积装备,其特征在于:所述P型掺杂非晶硅薄膜沉积腔室和所述N型掺杂非晶硅薄膜沉积腔室内相互独立地安装有至少一组用于进行CVD沉积的热丝,所述输料单元包括可移动地设置在所述热丝两侧用于承载硅片的两列托盘。

4.根据权利要求1所述的N型单晶异质结太阳能电池薄膜沉积装备,其特征在于:定义第一转换腔室内的输料单元为第一输料单元,所述第二转换腔室内的输料单元为第二输料单元,其它腔体内的输料单元为第三输料单元;所述第一输料单元用于将两列托盘按序进行位置调换,所述第二输料单元用于将两列托盘排成一列。

5.根据权利要求4所述的N型单晶异质结太阳能电池薄膜沉积装备,其特征在于:所述第一输料单元、第二输料单元和第三输料单元相互独立地包括传动支撑框体组、安装在所述传动支撑框体组上的传动杆、安装在所述传动杆外端的磁流体以及通过减速机与所述磁流体相连接的电机,所述托盘可输送地设置在所述传动支撑框体组内。

6.根据权利要求4所述的N型单晶异质结太阳能电池薄膜沉积装备,其特征在于:每组所述传动支撑框体组包括间隔设置的两组传动支撑框体、套设在所述传动杆上且设置于每组所述传动支撑框体内的齿轮以及安装在每组所述传动支撑框体内的支撑座;所述托盘可滑动地安装在所述支撑座上且顶部带有齿条的托盘,所述托盘竖直设置且所述齿条与所述齿轮相啮合;每组所述传动支撑框体组还包括安装在每组所述传动支撑框体内且与所述托盘相配合的防跑偏导向套以及安装在所述托盘上侧面且支撑在所述支撑座上的滚轮。

7.根据权利要求4所述的N型单晶异质结太阳能电池薄膜沉积装备,其特征在于:所述第一转换腔室和第二转换腔室中还相互独立地安装有与所述输料单元相配合的切换组件,所述切换组件包括内腔室、形成在所述内腔室内顶壁且与所述第一输料单元相配合的多道切换导轨、安装在所述内腔室外壁上且与所述切换导轨对应设置的左右切换机构、安装在所述左右切换机构上且与所述传动支撑框体组相连接的第一平移机构以及安装在所述内腔室外壁上用于与所述第一平移机构相配合的第二平移机构。

8.根据权利要求7所述的N型单晶异质结太阳能电池薄膜沉积装备,其特征在于:所述左右切换机构包括安装在所述内腔室外侧的固定板、安装在所述固定板和所述内腔室之间的导向杆、可滑动地安装在所述导向杆上的移动板、一端与所述内腔室相连接且贯穿所述移动板的滚珠丝杠以及安装在所述滚珠丝杠端部的左右切换电机。

9.根据权利要求7所述的N型单晶异质结太阳能电池薄膜沉积装备,其特征在于:所述第一平移机构包括一端与所述传动杆相连接且穿过所述移动板的多根水平移动传动杆、连接多根所述水平移动传动杆的皮带轮以及安装在任一所述水平移动传动杆端部的水平移动电机。

10.一种N型单晶异质结太阳能电池薄膜沉积方法,使用权利要求1至9中任一所述N型单晶异质结太阳能电池薄膜沉积装备,其特征在于,它包括以下步骤:(a)将输料组件承载的两列硅片导入L/L腔室进行预处理;

(b)将两列所述硅片导入第一本征I层沉积腔室使得热丝位于两列所述硅片之间,采用热丝CVD对两列所述硅片相向侧面进行镀膜;

(c)将两列所述硅片继续导入P型掺杂非晶硅薄膜沉积腔室,对两列所述硅片相向侧面再镀膜;

(d)将两列所述硅片导入第一转换腔室,调换所述硅片的位置使已镀膜面相背设置;

(e)将两列所述硅片再依次导入第二本征I层沉积腔室使得热丝位于两列所述硅片之间,采用热丝CVD对两列所述硅片相向侧面进行镀膜;

(f)将两列所述硅片继续导入N型掺杂非晶硅薄膜沉积腔室,对两列所述硅片相向侧面再镀膜;

(g)将两列所述硅片导入第二转换腔室,使得两列所述硅片合并为一列;

(h)将一列所述硅片导入PVD腔室以在其两面镀TCO薄膜,经L/L腔室后出片;所述PVD腔室在所述硅片两侧设置溅射阴极。