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专利号: 2019107971358
申请人: 广东小天才科技有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 运动;游戏;娱乐活动
更新日期:2026-07-22
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种电子棋盘,其特征在于,所述电子棋盘适配有若干棋子,所述棋子设置有用于表征棋子种类的第一磁编码阵列,所述第一磁编码阵列包括分布设置的至少两个第一磁性模块,不同种类的棋子的第一磁编码阵列形成不同的磁编码;所述电子棋盘包括电子棋盘本体,所述电子棋盘本体上的落子点位置设置有与所述第一磁编码阵列对应且用于识别棋子种类的第一磁感应阵列,所述第一磁感应阵列包括分布设置且与所述第一磁性模块一一对应的至少两个第一磁感应模块,所述第一磁感应阵列通过检测所述第一磁编码阵列形成的不同磁编码来识别棋子的种类;其中,所述磁编码通过设置各第一磁性模块的磁性状态得到,所述第一磁感应阵列通过各第一磁感应模块检测对应的第一磁性模块的磁性状态,得到所述第一磁编码阵列的磁编码;所述磁性状态包括S极和N极,所述第一磁感应模块为双极性霍尔传感器;

其中,通过设置所述第一磁编码阵列的位置布局,得到不同的磁编码,具体的:

通过设置所述至少两个第一磁性模块的磁性状态,得到不同的磁编码;每种磁编码对应一种棋子种类,所述棋子种类与磁场强弱无关。

2.根据权利要求1所述的电子棋盘,其特征在于,所述落子点位置还设置有用于识别棋子是否正位的正位识别模块。

3.根据权利要求2所述的电子棋盘,其特征在于,所述正位识别模块为第二磁感应阵列,所述第二磁感应阵列包括至少一个第二磁感应模块。

4.一种棋子,其特征在于,所述棋子适配有电子棋盘,所述电子棋盘的落子点位置设置有用于识别棋子种类的第一磁感应阵列,所述第一磁感应阵列包括分布设置的至少两个第一磁感应模块;所述棋子包括棋子本体,所述棋子本体的底部设置有与所述第一磁感应阵列对应且用于表征棋子种类的第一磁编码阵列,所述第一磁编码阵列包括分布设置且与所述第一磁感应模块一一对应的至少两个第一磁性模块,不同种类的棋子的第一磁编码阵列形成不同的磁编码,所述第一磁感应阵列用于通过检测所述第一磁编码阵列形成的不同编码来识别棋子的种类;其中,所述磁编码通过设置各第一磁性模块的磁性状态得到,所述第一磁感应阵列通过各第一磁感应模块检测对应的第一磁性模块的磁性状态,得到所述第一磁编码阵列的磁编码;所述磁性状态包括S极和N极,所述第一磁感应模块为双极性霍尔传感器;

其中,通过设置所述第一磁编码阵列的位置布局,得到不同的磁编码,具体的:

通过设置所述至少两个第一磁性模块的磁性状态,得到不同的磁编码;每种磁编码对应一种棋子种类,所述棋子种类与磁场强弱无关。

5.根据权利要求4所述的棋子,其特征在于,所述棋子本体的底部还设置有用于表征棋子处于正位状态的正位确定模块。

6.根据权利要求5所述的棋子,其特征在于,所述正位确定模块为第二磁编码阵列,所述第二磁编码阵列包括至少一个第二磁性模块。

7.一种电子棋盘游戏装置,其特征在于,包括若干棋子以及与所述棋子相互适配的电子棋盘,所述棋子包括棋子本体,所述棋子本体的底部设置有用于表征棋子种类的第一磁编码阵列,所述第一磁编码阵列包括分布设置的至少两个第一磁性模块,不同种类的棋子的第一磁编码阵列形成不同的磁编码;所述电子棋盘包括电子棋盘本体,所述电子棋盘本体的落子点位置设置有与所述第一磁编码阵列对应且用于识别棋子种类的第一磁感应阵列,所述第一磁感应阵列包括分布设置且与所述第一磁性模块一一对应的至少两个第一磁感应模块,所述第一磁感应阵列通过检测所述第一磁编码阵列形成的不同磁编码来识别棋子的种类;其中,所述磁编码通过设置各第一磁性模块的磁性状态得到,所述第一磁感应阵列通过各第一磁感应模块检测对应的第一磁性模块的磁性状态,得到所述第一磁编码阵列的磁编码;所述磁性状态包括S极和N极,所述第一磁感应模块为双极性霍尔传感器;

其中,通过设置所述第一磁编码阵列的位置布局,得到不同的磁编码,具体的:

通过设置所述至少两个第一磁性模块的磁性状态,得到不同的磁编码;每种磁编码对应一种棋子种类,所述棋子种类与磁场强弱无关。

8.根据权利要求7所述的电子棋盘游戏装置,其特征在于,所述棋子本体的底部还设置有用于表征棋子处于正位状态的正位确定模块,所述落子点位置还设置有用于识别棋子是否正位的正位识别模块。

9.根据权利要求8所述的电子棋盘游戏装置,其特征在于,所述正位确定模块为第二磁编码阵列,所述第二磁编码阵列包括至少一个第二磁性模块;所述正位识别模块为第二磁感应阵列,所述第二磁感应阵列包括至少一个、且与所述第二磁性模块相对应的第二磁感应模块。

10.根据权利要求9所述的电子棋盘游戏装置,其特征在于,所述第一磁编码阵列和第二磁编码阵列构成第一M×N阵列,所述第一M×N阵列的第一行为所述第二磁编码阵列,所述第一M×N阵列的其余行为所述第一磁编码阵列;所述第一磁感应阵列和所述第二磁感应阵列构成第二M×N阵列,所述第二M×N阵列的第一行为所述第二磁感应阵列,所述第二M×N阵列的其余行为所述第一磁感应阵列;

其中,M和N均为正整数。