1.一种由聚硅氧烷溶液制备聚硅氧烷薄膜的方法，其特征在于，包括：聚硅氧烷溶液的制备方法：

(a)氮气保护下，将催化剂和端羟基硅氧烷低聚物接触，搅拌均匀，置于一定温度的条件下，在常压或真空条件下反应一定的时间后，加入中和剂中和催化剂；

(b)在一定温度下，抽真空脱除低沸点物质至无馏出物为止；

(c)在氮气保护下使步骤(b)所得产物与含无水溶剂或不含无水溶剂的交联剂接触并进行反应，以得到上述聚硅氧烷溶液；

所述催化剂为式(I)或式(II)所示的有机磷腈化合物，

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其中，R 为卤素、‑NR2，或者 R和R 为任选取代的C1‑6烷基、任选取代的C1‑6环烷3

基、任选取代的芳基、任选取代的苄基、卤素，或者R与相连的N原子形成C1‑6杂环烷基，R 为任选取代的C1‑6烷基、任选取代的C1‑6环烷基、任选取代的芳基、任选取代的苄基，或者卤素，n为整数且n≥1，

所述催化剂用量为5～100ppm；

聚硅氧烷薄膜的制备方法：

(a)将上述聚硅氧烷溶液采用流延法或浸渍涂布法涂布附着在载体膜上，与空气接触；

(b)在一定温度下，从载体膜上形成的聚硅氧烷层除去如果存在的所述溶剂，并且使所述聚硅氧烷层交联，固化成膜；

(c)在交联后能够将所得的聚硅氧烷薄膜与所述载体分离；

聚硅氧烷溶液的制备方法步骤(a)中，所述端羟基硅氧烷低聚物为式(III)所示的化合物，

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其中，R 和R分别或同时为甲基、苯基、乙基、乙烯基、三氟丙基或氰丙基，n为5～200的整数；所述反应温度为0～180摄氏度，所述反应进行的时间为10分钟～24小时，所述中和剂为盐酸、硫酸、磷酸、乙酸、丙酸、二氧化碳、硅基磷酸酯中的至少之一；所述无水溶剂为苯、甲苯、四氢呋喃、二氯甲烷、二氧六环、正己烷、环己烷、石油醚、正庚烷和正戊烷中的至少之一；

聚硅氧烷溶液的制备方法步骤(b)中,所述温度为100～220摄氏度；所述交联剂为MeSi(OAc)3、EtSi(OAc)3、ViSi(OAc)3、(BuO)2Si(OAc)2、Si(OAc)4‑Me2Si(OAc)2、MeSi(ON＝CMeEt)3、ViSi(ON＝CMeEt)3、MeSi(ON＝CMe2)3、MeSi(OMe)3、ViSi(OMe)3、MeSi(NHC6H11)3、MeSi(NMeAc)3、ViSi(NMeAc)3、Me2Si(NMeAc)2、Me2Si(NEtAc)2、MeViSi(NMeAc)2、MeViSi(NEtAc)2、MeSi(OCMe＝CH2)3、ViSi(OCMe＝CH2)3中的至少之一，所述交联剂与步骤(a)中所述端羟基线性硅氧烷低聚物的质量比为1:(100～10000)；所述无水溶剂为苯、甲苯、四氢呋喃、二氯甲烷、二氧六环、N,N‑二甲基甲酰胺、正己烷、环己烷、石油醚、正庚烷和正戊烷中的至少之一。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，聚硅氧烷溶液的制备方法步骤(c)中，所述封端聚硅氧烷为式(Ⅳ)所示的化合物，

其中，R为任选取代的烷基、任选取代的芳基或任选取代的苄基，R1和R2分别或同时为甲基、苯基、乙基、乙烯基、三氟丙基或氰丙基，R3为MeSi(OAc)2、EtSi(OAc)2、ViSi(OAc)2、(BuO)2Si(OAc)、Si(OAc)3‑Me2Si(OAc)2、MeSi(ON＝CMeEt)2、ViSi(ON＝CMeEt)2、MeSi(ON＝CMe2)2、MeSi(OMe)2、ViSi(OMe)2、MeSi(NHC6H11)2、MeSi(NMeAc)2、ViSi(NMeAc)2、Me2Si(NMeAc)、Me2Si(NEtAc)、MeViSi(NMeAc)、MeViSi(NEtAc)、MeSi(OCMe＝CH2)2、ViSi(OCMe＝CH2)2中的至少之一，m为整数，且1＜m＜10，n为1～100 000的整数。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，聚硅氧烷薄膜的制备方法步骤(a)中，所述载体膜的材料为聚合物载体、金属条或金属箔，所述聚合物载体为聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、玻璃纸、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚四氟乙烯，所述聚合物载体或金属箔的厚度为20～200μm，所述金属条的厚度为200μm～2mm，所述载体膜的表面不包含大于待生产的膜厚度的5％的凹陷或凸起。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，聚硅氧烷薄膜的制备方法步骤(b)中，所述温度为0～150摄氏度，所述固化时间为30分钟～24小时。