1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成第一栅极结构和第二栅极结构；

在所述半导体衬底以及所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的表面形成第一介电层；

在所述第一介电层的表面形成第一层间介质层；

在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间形成第一开口，所述第一开口暴露所述第一介电层；

在所述第一层间介质层的表面沉积所述第二层间介质层，其中，所述第二层间介质层填充所述第一开口的开口端的一部分；

刻蚀所述第二层间介质层以形成第二开口，所述第二开口暴露所述第一开口；以及在所述第一开口和所述第二开口内填充金属材料以形成第一导线层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二开口还暴露所述第二栅极结构的端部。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二开口的数量为多个，其中，每个所述第二开口都暴露所述第二栅极结构的端部。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底的第一部分内形成有第一漏级和第二漏级，所述半导体衬底的第二部分内形成有第一源级和第二源级，所述第一部分位于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间，所述第二部分与所述第一部分分别位于所述第一栅极结构的两侧。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口从所述第一漏级的上方延伸至所述第二漏级的上方。

6.根据权利要4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口的数量为多个，其中，多个所述第一开口分别位于所述第一漏级的上方和所述第二漏级的上方。

7.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一栅极结构的一部分、所述第一源极和所述第一漏极构成PMOS器件，所述第一栅极结构的另一部分、所述第二源极和所述第二漏极构成NMOS器件。

8.根据权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：刻蚀所述第一层间介质层、所述第二层间介质层和所述第一介电层以形成第三开口，所述第三开口暴露出所述第一栅极结构的端部；

在所述第三开口内填充金属材料以形成第二导线层；

在所述第二层间介质层和所述第一导线层的端部的表面形成第三导线层，所述第三导线层电连接至所述第一导线层；

在所述第二层间介质层和所述第二导线层的端部的表面形成第四导线层，所述第四导线层电连接至所述第二导线层；

在所述第二层间介质层的表面形成第二介电层；以及在所述第二介电层的表面形成第三层间介质层。

9.根据权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间形成第一开口的步骤包括：在所述第一层间介质层上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层定义所述第一开口的位置；

刻蚀所述第一层间介质层至所述第一介电层以在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间形成第一开口；以及去除所述第一掩膜层。

10.一种半导体结构，包括：

半导体衬底；

第一栅极结构和第二栅极结构，位于所述半导体衬底的表面；

第一介电层，位于所述半导体衬底以及所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的表面；

第一层间介质层，位于所述第一介电层的表面；

第二层间介质层，位于所述第一层间介质层的表面；以及第一导线层，至少部分位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间并与所述第一介电层连接。