1.一种π‑共轭单体有机聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)对片基进行表面处理：先用表面处理液对片基进行表面处理，然后进行冲洗、干燥；

(2)配制氧化剂溶液：称取氧化剂，加入离子液体，并用溶剂使其完全溶解，即得到氧化剂溶液；

(3)配制π‑共轭单体溶液：称取π‑共轭单体并用溶剂使其完全溶解，即得到π‑共轭单体溶液；

(4)将配制好的氧化剂溶液通过旋涂仪均匀的旋涂在步骤(1)中表面处理后的片基上，然后将涂覆结束后得到含有氧化剂层的片基进行烘干；

(5)将步骤(4)得到的涂覆有氧化剂的片基放在旋涂仪上保持一定转速，将配制好的π‑共轭单体溶液放入喷枪中，使得单体均匀的喷涂在保持旋转的涂覆有氧化剂的片基上并与氧化剂发生聚合反应，得到聚合物薄膜；

(6)将步骤(5)得到的聚合物薄膜冲洗、干燥；

所述步骤(3)中的π‑共轭单体为以下结构中的任意一种或多种：

2.根据权利要求1所述的一种π‑共轭单体有机聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)的具体步骤为：先用表面处理液对片基进行表面处理，再依次用去离子水、纯净水、乙醇冲洗，最后在氮气中干燥，得到清洁且具有强亲水性表面的片基材料。

3.根据权利要求1所述的一种π‑共轭单体有机聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述表面处理液为食人鱼溶液。

4.根据权利要求1所述的一种π‑共轭单体有机聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述片基为玻璃片基。

5.根据权利要求1所述的一种π‑共轭单体有机聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的氧化剂为对甲苯磺酸铁、FeCl3、K2S2O8、(NH)2S2O8、十二烷基苯磺酸铁、2,4,

6‑三甲基苯磺酸铁、樟脑磺酸铁中的任意一种，离子液体为1‑丁基‑3‑甲基咪唑‑1‑硼酸盐、

1‑丁基‑3‑甲基咪唑四氟硼酸盐、1‑丁基‑3‑甲基咪唑六氟硼酸盐、1‑丁基‑3‑甲基咪唑硝酸盐、1‑丁基‑3‑甲基咪唑三氟甲基磺酸盐、1‑丁基‑3‑甲基咪唑三氟甲基碳酸盐中的任意一种，溶剂为正丁醇、异丙醇、乙醇中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的一种π‑共轭单体有机聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中的溶剂为氯仿、二氯甲烷中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的一种π‑共轭单体有机聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中烘干的条件为：50℃烘箱烘3‑5min。

8.根据权利要求1所述的一种π‑共轭单体有机聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中喷涂时，单体雾化液滴直径0.3‑0.5mm，单体喷出气压为0.24‑0.25Mpa。

9.根据权利要求1所述的一种π‑共轭单体有机聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(6)中采用乙醇反复冲洗2‑3次并放入烘箱中干燥2‑4h。