1.一种均相一步合成CdS‑WO3复合材料的方法，其特征在于其具体步骤为：（1）将镉源和硫源同时加入乙二醇中，在室温下搅拌1小时使其完全溶解后，制得硫化镉前驱反应液；

（2）在（1）中所制备的硫化镉前驱反应液中加入WCl6粉末，在室温下搅拌40min后溶解得到复合物的前驱液；

（3）将（2）中得到的前驱液放入到水热反应釜中，在180℃的温度条件下反应24h，自然冷却至室温后，使用乙醇和蒸馏水离心清洗多次，在真空环境下干燥后，即制得CdS‑WO3复合材料。

2.根据权利要求1所述的一种均相一步合成CdS‑WO3复合材料的方法，其特征在于，CdS和WO3两种半导体在均相体系一步反应中同时生成，形成复合物。

3.根据权利要求1所述的一种均相一步合成CdS‑WO3复合材料的方法，其特征在于，所述步骤中镉源为：硝酸镉、氯化镉或硫酸镉，硫源为：硫脲。

4.根据权利要求1所述的一种均相一步合成CdS‑WO3复合材料的方法，其特征在于，所述步骤中镉源的乙二醇溶液浓度为：0.08 mol/L – 0.187mol/L，镉源与硫源的摩尔比为：1:

2。

5.根据权利要求1所述的一种均相一步合成CdS‑WO3复合材料的方法，其特征在于，所述步骤中制得的WCl6的乙二醇溶液浓度为：50 mmol/L。