1.一种高熵氧化物陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：按照金属原子摩尔比为1:1:1:1或1:1:1:1:1的比例分别称取4种或5种以下金属氧化物粉体；氧化物粉体包括：MgO、ZnO、NiO、CuO、CaO、CoO、ZrO2、CeO2、Al2O3、Gd2O3、La2O3、Er2O3、Y2O3、Fe2O3、Co3O4、CaCO3；

步骤2：对步骤1中称取的粉体进行球磨、烘干、造粒；

步骤3：将造粒后的粉体进行压制成型，得到生坯；

步骤4：将步骤3得到的生坯热处理；

步骤5：将步骤4热处理后的生坯升温达到预设温度，对试样施加预设电场强度的电场，出现闪烧后电源由恒压状态转变为恒流状态，在预设电流密度下保温1～60min，随后淬冷即可得到所需高熵氧化物陶瓷；

预设电场强度为10-1000V/cm，预设电流密度为10-3000mA/mm2。

2.根据权利要求1所述的一种高熵氧化物陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤2中的球磨采用行星式球磨，球磨机转速为50～180r/min，球磨时间为10～50h。

3.根据权利要求1所述的一种高熵氧化物陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤5中预设温度为室温～0.7Tm，升温速率为10～30℃/min，达到预设温度后保温10min。

4.根据权利要求1所述的一种高熵氧化物陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤2中造粒，在陶瓷粉体中加入PVA进行造粒，PVA的浓度为3wt％。

5.根据权利要求1所述的一种高熵氧化物陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤3中压制成型采用二次压制，首先在压力为100～200MPa条件下保压30～60s；然后在压力为200～300MPa条件下二次加压。

6.根据权利要求1所述的一种高熵氧化物陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤4中热处理过程如下：在0.5Tm条件下热处理2h，升温速率为2～5℃/min。

7.根据权利要求1所述的一种高熵氧化物陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤2中烘干温度为100℃，保温时间为10～30h。