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专利号: 2019103147091
申请人: 大连交通大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物在透明薄膜热电偶上的应用,其特征在于:利用直流脉冲磁控溅射的方法将具有(400)晶面择优的体心立方铁锰矿相多晶铟锡氧化物制成透明薄膜热电偶的一极,所述直流脉冲磁控溅射的占空比为10-40%。

2.根据权利要求1所述的应用,其特征在于:所述透明薄膜热电偶中铟锡氧化物的厚度≥300nm。

3.根据权利要求2所述的应用,其特征在于:所述铟锡氧化物的纯度为99.99%,其中:三氧化二铟的质量百分比为90wt.%,二氧化锡的质量百分比为10wt.%。

4.根据权利要求3所述的应用,其特征在于:所述直流脉冲磁控溅射的温度为自然室温。

5.根据权利要求4所述的应用,其特征在于:所述直流脉冲磁控溅射的工作气体为氩,氩的纯度为99.99%。