1.一种Al掺杂BiCuSeO基热电材料，其特征在于：所述热电材料的化学式为Bi1-xAlxCuSeO；其中Bi:Cu:Bi2O3:Se:Al:Al2O3物质的量之比＝(1-x)/3:1:(1-x)/3:1:x/3:x/3，

0.025≤x≤0.125。

2.如权利要求1所述一种Al掺杂BiCuSeO基热电材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)采用Bi、Cu、Bi2O3、Se、Al、Al2O3粉末作为原料，按照Bi:Cu:Bi2O3:Se:Al:Al2O3＝(1-x)/3:1:(1-x)/3:1:x/3:x/3的物质的量之比配料，0.025≤x≤0.125；将各组分混合均匀，得混合粉末；

(2)将混合粉末倒入球磨机，在氩气保护下球磨4～6h，球磨得到的粉末再用玛瑙研钵研磨30～60min，再置于干燥箱内干燥，得干燥粉末；

(3)将干燥粉末封入真空石英管，再置于马弗炉内进行高温固相反应，马弗炉由室温升至300℃～350℃，保温8～10h，再将马弗炉温度升至700～750℃，升温，保温时间为12～

15h；

(4)样品随炉冷却后，打破真空石英管取出样品粉末，用玛瑙研钵研磨30～60min，再将研磨完成的粉末装入石墨模具，放入热压烧结炉内烧结；

(5)烧结完成冷却后脱模，既得Al掺杂BiCuSeO基热电材料。

3.根据权利要求2所述Al掺杂BiCuSeO基热电材料的制备方法，其特征在于：所述热压烧结炉为真空热压炉，烧结环境为1～2×10-2pa，烧结压强为30～50Mpa，烧结温度为700～

750℃，保温时间为2～3h，之后随炉冷却，保压至80～100℃。

4.根据权利要求2所述Al掺杂BiCuSeO基热电材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)的升温速率为5～10℃/min。

5.根据权利要求2所述Al掺杂BiCuSeO基热电材料的制备方法，其特征在于：所述球磨机为变频行星式球磨机，球料质量比为8～20:1，所述变频行星式球磨机的转速为300～

500r/min。

6.根据权利要求2所述Al掺杂BiCuSeO基热电材料的制备方法，其特征在于：所述干燥箱为电热恒温鼓风干燥箱，干燥温度设定为50～70℃，干燥时间设定为8～12h。

7.根据权利要求2所述Al掺杂BiCuSeO基热电材料的制备方法，其特征在于：所述Bi粉、Cu粉、Se粉、Al粉的纯度为≥99.9wt％，粒径≤75μm。

8.根据权利要求2所述Al掺杂BiCuSeO基热电材料的制备方法，其特征在于：所述Bi2O3粉、Al2O3粉的纯度为≥99.9wt％，粒径≤150μm。