1.一种复合结构增强的QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在ITO玻璃基底的ITO一侧依次旋涂PEDOT:PSS层、TFB层、QDs层和ZnO层，再在ZnO层上蒸镀Al电极，Al电极上使用固化胶固化，得到已封装的QLED器件；

（2）揭去IPS模板上的保护层，将撕去保护层的一面完全贴附于Si母版上，而后将IPS模板与Si母版一起放入纳米压印仪器的载物台中央，并在IPS模板上方覆盖一层UV片作为保护层，进行第一次纳米压印，使IPS模板完全复制Si母版的光栅结构，脱模，将紧密贴附在Si母版上的IPS模板揭下，即在IPS模板上形成第一光栅结构；

（3）对步骤（2）所得的IPS模板旋转90°后重新贴附在Si母版上，并在IPS模板上方覆盖一层UV片作为保护层，将载物台送入升降台上方后降下舱门启动程序进行第二次纳米压印，压印结束后脱模，即可在IPS模板上形成第二光栅结构；

（4）将步骤（3）所得的IPS模板超声处理后氮气吹干，得到已清洁的IPS模板备用；

（5）清洁并干燥已封装的QLED器件的ITO玻璃基底的玻璃一侧；

（6）将PDMS的液态基本组分与固化剂混合后在常温搅拌20 40min，之后放入真空干燥~箱抽真空1 3h后取出，待溶液内的气泡完全排出后取出PDMS溶液，将PDMS溶液浇筑在步骤~（5）的已清洁的QLED器件的ITO玻璃基底的玻璃一侧，而后将步骤（4）所得的已清洁的IPS模板贴附于ITO玻璃基底上浇筑的PDMS溶液上，真空干燥并填充，待PDMS溶液完全填充已清洁的IPS模板后，再35 45℃加热2 4 h使PDMS溶液完全固化，剥离IPS模板，即可得PDMS网格结~ ~构增强的QLED器件；

（7）将步骤（6）所得的PDMS网格结构增强的QLED放进RIE刻蚀腔室，在功率为150w、O2流量为80 sccm的条件下刻蚀20 70s，即可得到PDMS复合结构增强的QLED器件。

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2.如权利要求1所述的复合结构增强的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中的PEDOT:PSS层是由PEDOT:PSS溶液从冰箱拿出后静置10min，充分摇匀后用0.45µm的滤头过滤后悬滴150µl至ITO玻璃基底表面上后，采用匀胶机以5000rpm旋涂60s在130℃下退火15min制成；

TFB层是由TFB粉末以8 mg/mL的浓度溶解在氯苯中，0.2µm的滤头过滤杂质，移液枪吸取60 µl TFB溶液滴至PEDOT:PSS层上后，采用匀胶机以3000rpm旋涂45s在150℃下退火

30min制成；

QDs层是由峰位为524nm、半峰宽25nm、粒径为12nm的CdSe/ZnS核壳结构量子点以18mg/ml的浓度溶于辛烷后，采用匀胶机以 3000rpm旋涂60s使量子点溶液在TFB层上旋涂成膜制成；

ZnO层是由粒径为3.2nm的ZnO纳米颗粒以25mg/ml的浓度溶于乙醇后，采用匀胶机以 

2000rpm在QDs层上旋涂45s成膜后在60 ℃下退火 30min制成；

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Al电极是在ZnO层上在10  mbar的真空腔室中热蒸镀制成的，固化胶为紫外固化胶在紫外灯下静置3min固化完成封装。

3.如权利要求1所述的复合结构增强的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中的Si母版为700nm周期、350线宽、沟槽深度为130nm、线间距为350nm的Si母版。

4.如权利要求1所述的复合结构增强的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述第一次纳米压印温度设定为145 155℃、保温5s后，再在145 155℃下将压力设定为20 bar并且维~ ~持30 s即可完全复制Si母版的光栅结构，之后在95 105℃脱模4 6min，待脱模过程结束后~ ~打开舱门，将载物台推离升降台，待载物台温度降至室温后，将紧密贴附在Si母版上的IPS模板揭下，即可在IPS模板上形成第一光栅结构。

5.如权利要求1所述的复合结构增强的QLED器件的制备方法，其特征在于，将第二次纳米压印温度设定为133 137℃、在此温度下增加压力至35bar并且维持60s，之后在48 52℃~ ~脱模8 12min，即可在IPS模板上形成第二光栅结构。

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6.如权利要求1所述的复合结构增强的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述真空干燥的具体过程为：将浇筑PDMS溶液后的ITO玻璃基底放入25℃、30bar的真空干燥箱后抽真空1 h以防止PDMS溶液在ITO玻璃基底上溢出，之后在真空干燥箱中保持25℃、30bar的状态下静置8 12 h，以使PDMS溶液完全填充已清洁的IPS模板。

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7.如权利要求1所述的复合结构增强的QLED器件的制备方法，其特征在于，步骤（7）中先对RIE腔室进行清洗，先使用机械泵将真空设定至10 m Torr，而后采用分子泵使得腔室真空达到 6 m Torr，刻蚀的过程中使腔气压稳定在 250 m Torr，设定功率为150 W，通入氧气并设定流量为 80 sccm后清洗600 s，随后打开舱门，将步骤（6）所得的PDMS网格结构增强的QLED放进RIE刻蚀腔室，在功率为150w、O2流量为80 sccm的条件下刻蚀70s，即可得到PDMS复合结构增强的QLED器件。

8.如权利要求1所述的复合结构增强的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中的超声处理为依次使用无水乙醇、丙酮、异丙醇各超声20min。

9.根据权利要求1至8任一所述的制备方法所制得的复合结构增强的QLED器件。