1.一种PEIE介入标准倒置QLED器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）在柔性衬底上沉积ZnO电子注入层；

（2）在 ZnO电子注入层上旋涂PEIE溶液，制得界面修饰层A；

（3）在界面修饰层A上沉积量子点发光层，所述量子点发光层的材料为ZnCdSeS/ZnS绿光量子点；

（4）在量子点发光层上沉积PEIE溶液，制得界面修饰层B；

（5）在界面修饰层B上依次沉积空穴传输层和空穴注入层，所述的空穴传输层为PVK、TFB、poly-TPD、TCTA、CBP中的一种或几种任意叠加组合，所述的空穴注入层为PEDOT:PSS；

（5）蒸镀顶电极，所述顶电极为Al、Ag、Cu、Au或合金电极；待器件蒸镀完成后，对其进行封装即可。

2.根据权利要求1所述PEIE介入标准倒置QLED器件的制备方法，其特征在于，所述衬底为ITO衬底或单晶石墨烯/银纳米线复合柔性透明电极。

3.根据权利要求1所述PEIE介入标准倒置QLED器件的制备方法，其特征在于，ZnO电子注入层的厚度为40nm，界面修饰层A的厚度为4nm，量子点发光层厚度为30nm，界面修饰层B的厚度为5nm，空穴传输层厚度为35nm，空穴注入层厚度为35 nm，顶电极厚度为100nm，所述封装采用紫外光固化树脂。

4.根据权利要求1所述PEIE介入标准倒置QLED器件的制备方法，其特征在于，步骤（1）中将粒径为3-4 nm的ZnO溶于乙醇中，得到浓度为30 mg/ml的溶液进行旋涂；

步骤（2）制备界面修饰层A时，将PEIE溶于乙醇中得到浓度为0.4 mg/ml的PEIE溶液；步骤（3）中ZnCdSeS/ZnS绿光量子点的粒径为8 nm，将量子点溶于甲苯中制得浓度为18 mg/ml的溶液然后进行旋涂制得；步骤（4）中界面修饰层B通过将PEIE溶于乙二醇甲醚中得到浓度为0.5 mg/ml的溶液旋涂制得；步骤（5）中空穴传输层为PVK，将PVK溶于氯苯中得到浓度为

10 mg/ml，然后旋涂制得空穴传输层。

5.根据权利要求2所述PEIE介入标准倒置QLED器件的制备方法，其特征在于，所述单晶石墨烯/银纳米线复合柔性透明电极的制备过程如下：（1）单晶石墨烯的转移

在生长有石墨烯的铜箔表面上旋涂PMMA光刻胶；然后将PMMA/石墨烯/铜箔放入FeCl3溶液中，将铜箔刻蚀除去；再将PMMA/石墨烯转移到盐酸溶液中浸泡，清洗，将PMMA/石墨烯转移至SiO2/Si基底上，室温晾干；将PMMA/石墨烯/基底用丙酮熏蒸或浸泡去除PMMA，完成石墨烯的转移，制得石墨烯/SiO2/Si基底；

（2）喷涂法制备图案化银纳米线导电薄膜

取出银纳米线原液，配置成不同浓度的乙醇溶液待用，将Gr/SiO2/Si基底放在温度为

110 ℃的加热台上，在掩膜版的覆盖下，调整喷枪与基底距离，以每次1 ml的量进行循环喷涂，直至得到目标图案的AgNWs/石墨烯/SiO2/Si基底；

 （3）紫外光固化树脂的固化成膜和脱模

将制备好的AgNWs/Gr/SiO2/Si基底表面上旋涂紫外光固化树脂，用80 W紫外固化灯固化薄膜60-90 min，然后将Resin/AgNWs/石墨烯/SiO2/Si薄膜浸泡在质量分数为20%的氢氟酸溶液中腐蚀掉SiO2层，从而使Resin/AgNWs/石墨烯薄膜与Si衬底脱离，最后依次用乙醇，去离子水对薄膜进行冲洗，用氮气吹干，得到单晶石墨烯/银纳米线复合柔性透明电极。

6.根据权利要求5所述倒置QLED器件的制备方法，其特征在于，步骤（1）中铜箔表面上石墨烯的厚度为0.5 nm-1 nm，步骤（2）中银纳米线厚度为 300 nm；

步骤（3）中紫外光固化树脂的规格为NOA63，以500 rpm旋涂9 s，厚度为1 mm。

7.权利要求1至6任一所述的制备方法制得的PEIE介入标准倒置QLED器件。