1.一种氧化铜/硒复合材料薄膜,其特征在于:所述氧化铜/硒复合材料薄膜为CuO和Se的复合物薄膜,且CuO和Se的复合物中存在中间相CuSe2和CuSe中任意一种或两种;该薄膜中Cu元素的原子百分含量为10%~60%,O元素的原子百分含量与Cu元素相同,Se元素的原子百分含量为10%~60%。
2.根据权利要求1所述的氧化铜/硒复合材料薄膜,其特征在于:所述氧化铜/硒复合材料薄膜中Cu元素的原子百分含量为20%~40%,O元素的原子百分含量与Cu元素相同,Se元素的原子百分含量为20%~50%。
3.根据权利要求1或2所述的氧化铜/硒复合材料薄膜,其特征在于:所述氧化铜/硒复合材料薄膜中还掺杂有Si、Fe、Ge中任意一种。
4.根据权利要求3所述的氧化铜/硒复合材料薄膜,其特征在于:所述氧化铜/硒复合材料薄膜中掺杂的Si或Fe或Ge元素的原子百分含量为3%~10%。
5.根据权利要求1所述的氧化铜/硒复合材料薄膜,其特征在于:所述氧化铜/硒复合材料薄膜采用磁控溅射法制备而成,具体制备方法为:采用CuO和Se共溅射的方式在衬底上沉积一层CuO/Se复合材料薄膜,然后在空气或氮气中300~400℃退火1~3分钟,得到氧化铜/硒复合材料薄膜;
或先用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积一层CuO膜,再在CuO膜上热蒸发沉积一层Se膜,接着在空气或氮气中300~400℃退火10~60分钟,得到氧化铜/硒复合材料薄膜。
6.根据权利要求1所述的氧化铜/硒复合材料薄膜,其特征在于:所述氧化铜/硒复合材料薄膜采用化学溶液法制备而成,具体制备方法为:将CuO粉末和Se粉末按摩尔比为1:2~3研磨混合均匀后加入二甲亚砜中,在50~70℃下搅拌6~10小时,所得反应液旋涂于衬底上,然后在150~200℃下退火5~10分钟,制备成氧化铜/硒复合材料薄膜。
7.根据权利要求5或6所述的氧化铜/硒复合材料薄膜,其特征在于:所述的衬底为单晶硅片、普通玻璃、石英玻璃、氧化铟锡导电玻璃、掺氟氧化锡导电玻璃中的任意一种。