1.基于磁控石墨烯场效应管传感器的检测方法，其特征是，磁控石墨烯场效应管传感器（MGFET）的制作方法包括：将石墨烯转移到带有氧化铟锡电极的玻璃板上作为两个电极之间的通道；玻璃板上的两个氧化铟锡电极分别作为场效应管的源极和漏极；

石墨烯薄膜表面粘有玻璃材质制成的反应腔，作为盛放电解液的样品池；

将溶解在二甲基亚砜（DMSO）中的1‑芘丁酸琥珀酰亚胺酯（PBASE）注入到样品池，在室温下保持12小时，使PBASE与石墨烯完全反应，并将未反应的PBASE清除；其中，将未反应的PBASE清除时，依次用DMSO和去离子水洗涤MGFET以除去任何未反应的PBASE；

将2μM探针适配体引入MGFET中，并在室温下与PBASE一起温育4小时，使探针适配体与PBASE充分反应，并将未反应的探针适配体清除；

将磁性纳米颗粒（MB）与互补DNA（cDNA）的缀合物加入MGFET中设定时间，其中设定时间为10分钟，以使互补DNA与探针适配体完全结合；

检测时，所述磁性纳米颗粒被修饰到互补DNA序列的末端，通过磁性纳米颗粒和磁场之间的磁力，控制MB/cDNA缀合物和石墨烯薄膜之间的距离，从而调制磁控石墨烯场效应管传感器的双导电层，进而得到其电阻波动的结果；其中，所述磁场是由在磁控石墨烯场效应管传感器样品池背部施加的磁场调制；

互补DNA的机械参数在磁场的作用下转换为MGFET中的阻抗变化。

2.根据权利要求1所述的基于磁控石墨烯场效应管传感器的检测方法，其特征是，将石墨烯转移到带有氧化铟锡电极的玻璃板上的步骤中，通过湿法转移将化学气相沉积法生产的石墨烯转移到带有氧化铟锡电极的玻璃板上。

3.根据权利要求1所述的基于磁控石墨烯场效应管传感器的检测方法，其特征是，石墨烯薄膜表面粘有玻璃材质制成的反应腔的步骤中，采用将玻璃材质制成的反应腔用紫凝胶粘到石墨烯薄膜表面来实现。

4.根据权利要求1所述的基于磁控石墨烯场效应管传感器的检测方法，其特征是，将未反应的探针适配体清除时，用0.2％PBS洗涤MGFET多次以除去任何未结合的探针适配体。