1.磁控石墨烯场效应管传感器的制作方法，其特征是，包括：

将石墨烯转移到带有氧化铟锡电极的玻璃板上作为两个电极之间的通道；玻璃板上的两个铟锡电极分别作为场效应管的源极和漏极；

石墨烯薄膜表面粘有玻璃材质制成的反应腔，作为盛放电解液的样品池；

将溶解在二甲基亚砜DMSO中的PBASE注入到样品池，在室温下保持设定时间，使PBASE与石墨烯完全反应，并将未反应的PBASE清除；

将探针适配体引入MGFET中，并在室温下与PBASE一起温育设定时间，使探针适配体与PBASE充分反应，并将未反应的探针适配体清除；

将磁性纳米颗粒与互补DNA的缀合物加入MGFET中设定时间，以使互补DNA与探针适配体完全结合。

2.权利要求1所述的磁控石墨烯场效应管传感器的制作方法，其特征是，将石墨烯转移到带有氧化铟锡电极的玻璃板上的步骤中，通过湿法转移将化学气象沉积法生产的石墨烯转移到带有氧化铟锡电极的玻璃板上。

3.权利要求1所述的磁控石墨烯场效应管传感器的制作方法，其特征是，石墨烯薄膜表面粘有玻璃材质制成的反应腔的步骤中，采用将玻璃材质制成的反应腔用紫凝胶粘到石墨烯薄膜表面来实现。

4.权利要求1所述的磁控石墨烯场效应管传感器的制作方法，其特征是，将溶解在二甲基亚砜中的PBASE注入到样品池，在室温下保持12小时，使PBASE通过π-π堆积与石墨烯完全反应。

5.权利要求1所述的磁控石墨烯场效应管传感器的制作方法，其特征是，将未反应的PBASE清除时，依次用DMSO和去离子水洗涤MGFET以除去任何未反应的PBASE。

6.权利要求1所述的磁控石墨烯场效应管传感器的制作方法，其特征是，将探针适配体引入MGFET中，具体的，将2μM探针适配体引入MGFET中，并在室温下与PBASE一起温育4小时，使探针适配体与PBASE充分反应。

作为本申请进一步的技术方案，将未反应的探针适配体清除时，用0.2％PBS洗涤MGFET多次以除去任何未结合的探针适配体。

作为本申请进一步的技术方案，将磁性纳米颗粒与互补DNA的缀合物加入MGFET中设定时间，该设定时间为10分钟。

7.磁控石墨烯场效应管传感器，其特征是，所述传感器采用上述权利要求1-6任一所述的制作方法获得。

8.基于权利要求7所述的磁控石墨烯场效应管传感器的测量方法，其特征是，测量时，在磁控石墨烯场效应管传感器背面加入或去除永磁体，通过记录传感器的阻抗波动，实现对目标分子的测量。

9.基于权利要求7所述的磁控石墨烯场效应管传感器的检测方法，其特征是，检测时，磁性纳米颗粒被修饰到cDNA序列的末端；

通过磁性纳米颗粒和磁场之间的磁力，控制MB/cDNA耦合物和石墨烯薄膜之间的距离，从而调制传感器的双导电层，进而得到其电阻波动的结果。

10.一种应用，其特征是，权利要求7所述磁控石墨烯场效应管传感器用于生物分子检测。