1.一种锰钴氧化物与氮掺杂碳原位复合电极的制作方法，其特征在于，具体制备方法为：（1）将硝酸钴和硝酸锰溶于去离子水中，利用水热反应在导电基底上生长层状MnCo2O4氧化物，再将MnCo2O4氧化物于空气中退火形成多孔、层状锰钴氧化物；

（2）将步骤（1）中生长有锰钴氧化物的基底上后于氨气气氛中300 500℃退火反应；

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（3）将步骤（2）中得到的氮化后长有锰钴氧化物的基底进行电沉积或者化学浴，最后在保护气氛下退火得到锰钴氧化物与氮掺杂碳原位复合电极。

2.根据权利要求1所述的锰钴氧化物与氮掺杂碳原位复合电极的制作方法，其特征在于，所述的硝酸钴水溶液浓度为50 200 mM，硝酸锰水溶液浓度为50 200 mM，水热时间为6~ ~ ~

8 h，水热温度为120℃ 180℃。

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3.根据权利要求1所述的锰钴氧化物与氮掺杂碳原位复合电极的制作方法，其特征在于，所述的导电基底包括如碳布、石墨纸、泡沫铜或镍中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的锰钴氧化物与氮掺杂碳原位复合电极的制作方法，其特征在于，步骤（1）中在空气中退火及步骤（2）在氨气中退火的温度为400℃，反应时间为0.5 2 h。

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5.根据权利要求1所述的锰钴氧化物与氮掺杂碳原位复合电极的制作方法，其特征在于，电沉积法是将步骤（2）中得到的氮化后长有锰钴氧化物的基底在吡咯混合溶液进行电沉积，其吡咯混合溶液为高氯酸锂，无水碳酸钠，与吡咯的混合溶液，其中高氯酸锂，无水碳酸钠，与吡咯的质量比为1：1.5-3：0.8-1.2。

6.根据权利要求5所述的锰钴氧化物与氮掺杂碳原位复合电极的制作方法，其特征在于，所述的高氯酸锂，无水碳酸钠，与吡咯的质量比为1：2：1。

7.根据权利要求1所述的锰钴氧化物与氮掺杂碳原位复合电极的制作方法，其特征在于，化学浴法中是将步骤（2）中得到的氮化后长有锰钴氧化物的基底，分别在氧化剂三氯化铁、吡咯水溶液中沉积；或仅在吡咯水溶液中沉积。

8.根据权利要求1所述的锰钴氧化物与氮掺杂碳原位复合电极的制作方法，其特征在于，三氯化铁的质量浓度为0.2-0.6%；吡咯水溶液的体积浓度为0.01-0.1%。

9.根据权利要求1所述的锰钴氧化物与氮掺杂碳原位复合电极的制作方法，其特征在于，步骤（3）中在Ar气或N2气的保护气氛，以300~400℃进行退火反应，反应时间为1~3 h。