1.一种梯度磁场微流控芯片，包括盖片和基片，盖片位于基片的正上方，其特征在于：

基片的一表面上镀有导电薄膜，基片镀有导电薄膜的表面上设有具有磁性梯度变化的磁性结构，盖片下表面上设有流体沟道，流体沟道上与磁性结构对应的位置处设有捕获区，捕获区呈膨大状，盖片的两端分别设有注入口和排出口，注入口和排出口分别与流体沟道连通，磁性结构的磁场强度从注入口至排出口的方向依次减少或增加，基片和磁性结构均与盖片通过粘结剂层密封连接。

2.根据权利要求1所述的梯度磁场微流控芯片，其特征在于：所述的磁性结构包括多个镍阵列，多个镍阵列沿流体沟道的延伸方向依次排列，镍阵列由多个均匀密布且相互平行的镍条构成，各镍条均垂直于流体沟道的延伸方向，各镍条在竖直方向的投影相同，相邻镍阵列中的任意两镍条相互平行，磁性结构呈楔形，磁性结构中镍条的高度从注入口至排出口的方向依次增加，捕获区的个数与镍阵列的个数相同，各捕获区位于对应的镍阵列的正上方。

3.据权利要求2述的梯度磁场微流控芯片，其特征在于：所述的镍条由多个均匀密布的镍块构成，相邻两镍条中的镍块呈锯齿状分布。

4.据权利要求3述的梯度磁场微流控芯片，其特征在于：各镍块呈方形，所有镍块的宽度和长度均相等。

5.据权利要求2所述的梯度磁场微流控芯片，其特征在于：磁性结构中距离注入口最近的镍条中镍块的高度较低，距离排出口最近的镍条中镍块的较高。

6.据权利要求1所述的梯度磁场微流控芯片，其特征在于：所述的捕获区和流体沟道均呈方形，捕获区的宽度大于流体沟道的宽度。

7.据权利要求1所述的梯度磁场微流控芯片，其特征在于：所述的导电薄膜为氧化铟锡膜，盖片的材质为聚二甲基硅氧烷。