1.一种结构紧凑的瓦级连续波内腔倍频单频激光器，其特征在于，包括依次设置的LD泵浦源（1）、聚焦透镜（2）、驻波腔和准直透镜（9），驻波腔内依次设有激光晶体（3）、光阑（4）、倍频晶体（5）、双折射滤波片和输出耦合镜（8），LD泵浦源（1）、激光晶体（3）、倍频晶体（5）和双折射滤波片均设有TEC制冷片；LD泵浦源（1）发射的泵浦光经聚焦透镜（2）聚焦到驻波腔内的激光晶体（3）上，驻波腔对基频光振荡，经倍频晶体（5）倍频后的倍频光经准直透镜（9）准直后输出。

2.根据权利要求1所述的结构紧凑的瓦级连续波内腔倍频单频激光器，其特征在于，所述激光晶体（3）的左侧端面为驻波腔的入射面；所述LD泵浦源（1）、聚焦透镜（2）、激光晶体（3）、光阑（4）、倍频晶体（5）、双折射滤波片、输出耦合镜（8）和准直透镜（9）的中心在同一直线上。

3.根据权利要求1或2所述的结构紧凑的瓦级连续波内腔倍频单频激光器，其特征在于，所述LD泵浦源（1）、聚焦透镜（2）、驻波腔、准直透镜（9）和TEC制冷片均安装在导热性能良好的铝板上；所述TEC制冷片包括第一TEC制冷片（101）上、第二TEC制冷片（102）和第三TEC制冷片（103），LD泵浦源（1）设置在第一TEC制冷片（101）上，激光晶体（3）、光阑（4）、倍频晶体（5）设置在第二TEC制冷片（102）上，双折射滤波片设置在第三TEC制冷片（103）上。

4.根据权利要求3所述的结构紧凑的瓦级连续波内腔倍频单频激光器，其特征在于，所述双折射滤波片为采用布儒斯特角入射的双折射晶体（6），双折射晶体（6）包括第一双折射晶体（61）和第二双折射晶体（62），第一双折射晶体（61）和第二双折射晶体（62）均设置在第三TEC制冷片（103）上。

5.根据权利要求3所述的结构紧凑的瓦级连续波内腔倍频单频激光器，其特征在于，所述双折射滤波片包括双折射晶体和布儒斯特窗片，双折射晶体包括第一双折射晶体（61）和第二双折射晶体（62），布儒斯特窗片包括第一布儒斯特窗片（71）和第二布儒斯特窗片（72）；第一布儒斯特窗片（71）和第二布儒斯特窗片（72）设置在第一双折射晶体（61）和第二双折射晶体（62）之间，第一双折射晶体（61）、第二双折射晶体（62）、第一布儒斯特窗片（71）和第二布儒斯特窗片（72）的中心在同一直线上、均设置在第三TEC制冷片（103）上。

6.根据权利要求5所述的结构紧凑的瓦级连续波内腔倍频单频激光器，其特征在于，所述第一布儒斯特窗片（71）和第二布儒斯特窗片（72）由厚度相同的同种材料构成，第一布儒斯特窗片（71）和第二布儒斯特窗片（72）的布儒斯特角分两个方向设置。

7.根据权利要求1所述的结构紧凑的瓦级连续波内腔倍频单频激光器，其特征在于，所述激光晶体（3）的入射面对泵浦光镀高透膜、对基频光镀高反膜，激光晶体（3）的出射面对基频光镀高透膜、对倍频光镀高反膜；所述激光晶体（3）内掺杂有稀土离子。

8.根据权利要求7所述的结构紧凑的瓦级连续波内腔倍频单频激光器，其特征在于，所

3+ 3+

述激光晶体（3）的稀土离子为Nd ，激光晶体（3）为Nd 掺杂浓度1at%-2at%的Nd:YVO4晶体或Nd:GdYVO4晶体，其长度不长于2mm。

9.根据权利要求1或8所述的结构紧凑的瓦级连续波内腔倍频单频激光器，其特征在于，所述倍频晶体（5）为周期极化晶体，周期极化晶体为MgO:PPLN晶体、MgO:sPPLT晶体或PPKTP晶体；倍频晶体（5）的入射面和出射面对基频光和倍频光都镀减反膜，其长度不长于

5mm。