1.一种四元共蒸AIGS薄膜的蒸发装置，其特征在于，包括蒸发腔、位于蒸发腔上且与蒸发腔连通的扩散机构以及位于蒸发腔上且与蒸发腔连通的样品交换机构，所述蒸发腔内设置有用于放置基底的旋转台，所述蒸发腔底部设置至少4个出口朝向旋转台的蒸发源，每个蒸发源分别用于蒸发AIGS薄膜的金属层；所述蒸发腔内还设置有用于测试蒸发腔内蒸气压的蒸气压测试仪。

2.如权利要求1所述的四元共蒸AIGS薄膜的蒸发装置，其特征在于，所述蒸发源为坩埚，坩埚底部设置有用于监测蒸发温度的热电偶。

3.如权利要求1所述的四元共蒸AIGS薄膜的蒸发装置，其特征在于，所述基底上方设置有基底加热器。

4.如权利要求3所述的四元共蒸AIGS薄膜的蒸发装置，其特征在于，所述基底加热器为钼片加热器。

5.如权利要求1所述的四元共蒸AIGS薄膜的蒸发装置，其特征在于，所述蒸发源的出口处设置有用于控制原料用量的控制开关。

6.如权利要求1-5任一项所述的四元共蒸AIGS薄膜的蒸发装置，其特征在于，所述扩散机构包括与蒸发腔连接的主腔体机械泵和连接蒸发腔和主腔体机械泵之间的主腔体扩散泵。

7.如权利要求1-5任一项所述的四元共蒸AIGS薄膜的蒸发装置，其特征在于，所述样品交换机构包括与蒸发腔连通的样品交换室、与样品交换室连接的交换室分子泵以及与交换室分子泵连接的交换室机械泵。

8.如权利要求1所述的四元共蒸AIGS薄膜的蒸发装置，其特征在于，还包括用于对蒸发腔抽真空的抽真空装置。