1.一种非接触式谐振自耗型EMI滤波器，其特征在于：包括套接在开关电源供电线路L上的高频磁环，高频磁环上缠绕有磁环感应线圈Lg，磁环感应线圈Lg上连接有谐振元件组。

2.根据权利要求1所述的一种非接触式谐振自耗型EMI滤波器，其特征在于：所述谐振元件组包括N组谐振支路，每组谐振支路均包括依次连接的多频谐振支路电感Li、多频谐振支路电容Ci、多频谐振支路接入功耗电阻Ri，多频谐振支路电感Li和多频谐振支路接入功耗电阻Ri分别连接在磁环感应线圈Lg的两端；i＝1,2,……,N。

3.一种非接触式谐振自耗型EMI滤波器的设计方法，其特征在于：具体包括如下步骤：步骤1，获取被滤波开关电源的功率谱密度图；

步骤2，确定功率谱密度中的波峰数n、每个波峰点的电磁干扰功率值Pi和相应频率值fi；

步骤3，获取被滤波开关电源的电磁干扰电流谱密度；

步骤4，确定电磁干扰电流谱密度图中每个波峰点的电磁干扰电流幅值Ii；

步骤5，确定磁环感应线圈上的多频谐振支路数N；

步骤6，设计高频磁环；

步骤7，设计磁环感应线圈；

步骤8，测取磁环感应线圈内阻值Rg；

步骤9，计算磁环感应线圈电感值Lg；

步骤10，第i谐振支路总功耗电阻值Rloss_i的计算：步骤11，计算多频谐振支路电容的电容值Ci；

步骤12，计算多频谐振支路电感的电感值Li；

步骤13，测取多频谐振支路电感的内阻Rx_i；

步骤14，计算多频谐振支路接入功耗电阻Ri。

4.根据权利要求3所述的一种非接触式谐振自耗型EMI滤波器的设计方法，其特征在于：所述步骤2的具体过程为：根据步骤1所得到的被滤波开关电源的功率谱密度图，从低频起始频率向高频终止频率扫描功率值的波峰点，把波峰数记为n，把每个波峰点的功率值记为Pi，每个波峰点相对应的频率值记为fi，波峰功率值Pi在P1-Pn中取值，相应的频率值fi在f1-fn中取值；fi表示第i个频率点的频率值，Pi表示第i频率点对应的电磁干扰功率值。

5.根据权利要求4所述的一种非接触式谐振自耗型EMI滤波器的设计方法，其特征在于：所述步骤4的具体过程为：根据步骤2确定的n个波峰电磁干扰功率值P1-Pn，以及其对应的频率值f1-fn，在步骤3获取的被滤波开关电源电磁干扰电流谱密度图中，对应确定出电磁干扰电流值Ii，Ii在I1-In中取值，Ii表示第i个频率点的电磁干扰电流值。

6.根据权利要求5所述的一种非接触式谐振自耗型EMI滤波器的设计方法，其特征在于：所述步骤9的具体过程为：磁环感应线圈电感值Lg按照公式(8)计算获得；

式中：n2为磁环感应线圈的匝数；AC为高频磁环的磁芯有效截面积；μm为高频磁环的磁导率；

MPL为高频磁环的磁路长度，按照高频磁环的中心直径计算，计算公式为：MPL＝π×[dC+(DC-dC)/2]     (9)；

式中，DC为高频磁环的外直径，dC为高频磁环的内直径。

7.根据权利要求6所述的一种非接触式谐振自耗型EMI滤波器的设计方法，其特征在于：所述步骤10的具体过程为：第i谐振支路总功耗电阻值Rloss_i的计算公式为：式中，Pi表示第i个频率点的功率值；

Ii表示第i频率点的电流值。

8.根据权利要求7所述的一种非接触式谐振自耗型EMI滤波器的设计方法，其特征在于：所述步骤11的具体过程为：Ci表示第i路多频谐振支路电容值，按照如下公式(11)计算，式中，Rloss_i为步骤10计算的第i谐振支路总功耗电阻值，Lg为步骤9中计算的磁环感应线圈Lg电感值。

9.根据权利要求8所述的一种非接触式谐振自耗型EMI滤波器的设计方法，其特征在于：所述步骤12的具体过程为：Li表示第i多频谐振支路电感值，多频谐振支路电感值Li根据LC谐振到频率点fi选取，采用如下公式(12)计算：式中，fi为步骤2中确定的第i频率点的频率值，Ci为步骤11确定的频谐振支路电容值。

10.根据权利要求9所述的一种非接触式谐振自耗型EMI滤波器的设计方法，其特征在于：所述步骤14的具体过程为：根据步骤8得到的磁环感应线圈内阻值Rg，根据步骤13得到的多频谐振支路电感的内阻Rx_i，根据步骤10得到的第i谐振支路总功耗电阻值Rloss_i，可由公式(13)计算多频谐振支路接入功耗电阻Ri：Ri＝Rloss_i-Rg-Rx_i    (13)。