1.一种多孔硫化钴纳米花的制备方法，其特征在于，以水混合溶液作为限域溶剂，六水合硝酸钴为金属钴源，L-半胱氨酸为硫源，以P123和PVP为表面活性剂、模板剂和造孔剂，在有回流装置的密闭反应器中，于固定温度条件下反应，制备的产物经洗涤干燥后在惰性气氛下进行高温烧结处理可合成具有多孔结构的花状硫化钴。

2.根据权利要求1所述的一种多孔硫化钴纳米花的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：（1）采用无水乙醇和水配制乙醇水溶液；

（2）将六水合硝酸钴、尿素、平均分子量8000的低分子量PVP、P123分散于上述混合溶液中，超声至完全溶解；随后加入L-半胱氨酸，超声搅拌直至完全溶解；

（3）将上述混合溶液转移至具有回流冷凝装置的反应瓶中或反应釜中，固定温度下反应3-24 h；

（4）将上述反应后得到的物质过滤收集，反复清洗后，真空干燥得到黑色粉末，再将粉末移入管式炉中，在惰性气氛下高温烧结处理即制备得到多孔硫化钴纳米花材料。

3.根据权利要求2所述的一种多孔硫化钴纳米花的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，水和无水乙醇的体积比为8:1-10:1。

4.根据权利要求2所述的一种多孔硫化钴纳米花的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，六水合硝酸钴的摩尔浓度范围为5-50 mM，尿素与六水合硝酸钴的质量比为1:1～

20:1，PVP与六水合硝酸钴的质量比为0.2:1～2:1，P123与六水合硝酸钴的质量比为0.2:1～2:1，L-半胱氨酸与六水合硝酸钴的质量比为1:1～2:1。

5.根据权利要求2所述的一种多孔硫化钴纳米花的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，固定温度为80-120 ℃。

6.根据权利要求1或2所述的一种多孔硫化钴纳米花的制备方法，其特征在于，所述多孔结构为2-10 nm的介孔结构。

7.根据权利要求1或2所述的一种多孔硫化钴纳米花的制备方法，其特征在于，所述惰性气氛为Ar、Ar/H2混合气或He中的一种，烧结温度为400-600 ℃。

8.权利要求1或2所述的制备方法制备得到一种多孔硫化钴纳米花。

9.权利要求8所述的多孔硫化钴纳米花在锂离子电池或钠离子电池电极方面的应用。