1.一种含芴结构具有高平面性的二胺单体，其特征在于，该单体结构如通式VI所示：VI：

其中，Z为 Ar4为

2.权利要求1所述含芴结构具有高平面性的二胺单体，其特征在于，合成方法包括以下步骤：(D1)利用2,7‑二卤代芴、3,6‑二卤代芴中的卤原子与对氨基苯硼酸盐酸盐进行Suzuki反应得到单体13；(D2)利用步骤(D1)中的单体13与含一个卤原子和一个硝基的Ar 4单体进行取代反应得到二硝基单体15；(D3)将步骤(D2)中的二硝基单体15还原成二胺，获得如通式VI所示的含芴结构的二胺单体，其中步骤(D1～D2)中的单体具有如下结构特征：

3.权利要求1所述含芴结构具有高平面性的二胺单体，应用于合成具有高阻隔性和功能化聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺或聚脲酰亚胺聚合物。