1.一种长余辉材料，包括碳点与基质，其特征在于：所述的碳点复合到所述的基质中，所述的长余辉材料为玻璃态；所述的玻璃态为通过一步热处理以形成；

所述的基质为硼酸、氧化硼中的至少一种；

所述的长余辉材料具有荧光性质、RTP 性质和延迟荧光性质；

所述的长余辉材料为不含金属的长余辉材料。

2.根据权利要求 1 所述的长余辉材料，其特征在于：所述的碳点与基质按质量比为(0.001～0.08):(1～3)进行配比。

3.权利要求 1～2任一项所述的长余辉材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将碳点与所述的基质混合均匀，在至少 140℃的温度下进行热处理，使混合物形成熔融状态，冷却后即得所述的长余辉材料。

4.根据权利要求 3 所述的长余辉材料的制备方法，其特征在于：所述的碳点可以是不含杂原子的碳点或含掺杂元素的碳点；

所述的热处理的温度为 140℃～1000℃；

所述的热处理的时间为 2～10小时。

5.根据权利要求 4 所述的长余辉材料的制备方法，其特征在于：所述的掺杂元素包括 N、S、B 中的至少一种；

所述的热处理的温度为 140℃～500℃；

所述的热处理的时间为 4～7 小时。

6.根据权利要求3 所述的长余辉材料的制备方法，其特征在于：所述的碳点为不含杂原子的碳点；

所述的碳点可通过常规方法制备得到；

所述的碳点为经过前处理步骤得到的碳点，所述的前处理包括分离提纯。

7.根据权利要求 6所述的长余辉材料的制备方法，其特征在于：所述的分离提纯包括透析，离心，过滤和干燥；

所述的制备碳点的反应温度为 160～240℃，反应时间为 6～24 小时。

8.权利要求 1～2任一项所述的长余辉材料在光电子学中的应用。

9.根据权利要求8 所述的长余辉材料在光电子学中的应用，其特征在于：所述的长余辉材料在防伪技术和信息加密领域中的应用。