1.一种P(VDF‑TrFE)铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，制备方法如下：(1)将原料P(VDF‑TrFE)投入反应釜中，并加入溶剂，升温至40‑50℃，搅拌同时进行超声波分散，4‑5h后，加入增塑剂、成核剂升温至60‑65℃搅拌1‑2h，得到预产物；

(2)将预产物运送至热风区，控制出液量为1m/s，在140‑150℃下，干燥成膜，裁断后，将裁断材料在140‑150MPa，150‑160℃下进行热压，保温10‑15min后，快速降至室温，将薄膜运输至退火炉中，并保持氟苯气氛，升高温度至145‑150℃，退火保温2‑3h后，自然冷却至室温，薄膜的厚度为5‑10μm。

2.如权利要求1所述P(VDF‑TrFE)铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲酸二异壬酯、邻苯二甲酸丁苄酯中的任意一种。

3.如权利要求1所述P(VDF‑TrFE)铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述成核剂为脂肪羧酸金属化合物、山梨醇苄叉衍生物、芳香族羧酸金属化合物中的任意一种。

4.如权利要求1所述P(VDF‑TrFE)铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中的所述的溶剂为碳酸二乙酯。

5.如权利要求1所述P(VDF‑TrFE)铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述快速降温的降温速率为40‑45℃/min。