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专利号: 2018112734413
申请人: 西安邮电大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 光学
更新日期:2023-11-20
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种1530nm到1580nm波段范围内的双槽型大负色散波导,其特征在于,在大负色散波导的端面上,二氧化硅做衬底,其上分布着两个垂直型沟槽波导,其中左侧沟槽波导利用在λ=1550nm处折射率n=1.98氮化硅作为夹板层,空气为槽芯,右侧沟槽波导利用在λ=

1550nm处折射率n=3.48硅材料作为夹板层,在λ=1550nm处折射率n=1.44的二氧化硅作为槽芯,左右两个沟槽波导在二氧化硅衬底上成垂直型分布,以空气隙隔开,所述的双槽型大负色散波导可实现对色散特性的有效调控。

2.根据权利要求1所述的1530nm到1580nm波段范围内的双槽型大负色散波导,其特征在于,所述的二氧化硅衬底在水平方向上长度L=3000nm,垂直方向上高度H=500nm。

3.根据权利要求1所述的1530nm到1580nm波段范围内的双槽型大负色散波导,其特征在于,所述的左侧沟槽波导在水平方向上的高折射率夹板层宽度为L1=571nm,垂直方向上高折射率夹板层的高度H1=360nm,所述的左侧沟槽波导在水平方向上的低折射率槽芯宽度为S1=25.2nm,垂直方向上低折射率材料槽芯高度H1=360nm。

4.根据权利要求1所述的1530nm到1580nm波段范围内的双槽型大负色散波导,其特征在于,所述的右侧沟槽波导在水平方向上的高折射率夹板层长度为L2=137nm,垂直方向上高折射率夹板层的高度H2=422nm,所述的右侧沟槽波导在水平方向上低材料折射率槽芯长度为S2=58.5nm,垂直方向上低材料折射率槽芯高度H2=422nm。