1.一种导电相复合物，其特征在于，所述导电相复合物的组成为Ag2SnO3-NiSb2O4。

2.根据权利要求1所述的导电相复合物，其特征在于，Ag2SnO3与NiSb2O4的质量百分比为

50-85％和15-50％。

3.一种厚膜电阻浆料，其特征在于，包括质量百分比为25-80％、4.3-57％和9.8-

46.2％的Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物、微晶玻璃粘结剂和有机载体。

4.根据权利要求3所述的厚膜电阻浆料，其特征在于，所述Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物的制备方法包括以下步骤：S1：称取质量百分比为60％的Ag2O粉末和40％的SnO2粉末，充分混合均匀，于氧气气氛中加热至600-1200℃，保温2-4小时，停止加热，继续通入氧气，随炉冷却至室温，得到Ag2SnO3固体；

S2：称取质量百分比为24％的Ni(OH)2粉末和76％Sb2O3粉末，充分混合均匀，于氮气气氛中加热至500-1000℃，保温24-120小时，停止加热，继续通入氮气，随炉冷却至室温，得到NiSb2O4固体；

S3：按质量百分比50-85％和15-50％分别称取制备的Ag2SnO3固体和NiSb2O4固体，用球磨机将混合物球磨至平均粒径不超过1.5微米，得到Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物粉末。

5.根据权利要求3所述的厚膜电阻浆料，其特征在于，所述微晶玻璃粘结剂由质量百分比为11-53％、1.8-26.5％、2-33％、10-54％、1.8-23％、6-41％、0.6-16％的SiO2、Al2O3、B2O3、BaO、K2O、Bi2O3、ZrO2微晶玻璃粉体组成。

6.根据权利要求3或5所述的厚膜电阻浆料，其特征在于，所述微晶玻璃粘结剂的制备方法为：按质量百分比11-53％、1.8-26.5％、2-33％、10-54％、1.8-23％、6-41％、0.6-16％分别称取SiO2、Al2O3、B2O3、BaO、K2O、Bi2O3、ZrO2，充分混合，置于电炉中，于空气气氛下加热至1000-1400℃，保温2-8小时，停止加热，水淬，用球磨机将固体球磨到平均粒径不超过3微米，得到微晶玻璃粘结剂粉末。

7.根据权利要求3所述的厚膜电阻浆料，其特征在于，所述有机载体由质量百分比为

56-92％、0.9-21％、0.8-9％、1.8-12.8％、1.8-12.8％、0.4-5％的松油醇、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素、司班85、1,4-丁内酯、氢化蓖麻油组成。

8.一种如权利要求3所述的厚膜电阻浆料的制备方法，其特征在于，按质量百分比25-

80％、4.3-57％和9.8-46.2％分别称取Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物、微晶玻璃粘结剂和有机载体，先将Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物与微晶玻璃粘结剂充分混合，再与有机载体充分搅拌混合均匀，然后用三辊轧机反复进行轧制，得到用于铝基板的厚膜电阻浆料。

9.根据权利要求8所述的厚膜电阻浆料的制备方法，其特征在于，所述厚膜电阻浆料的粘度范围为100-300Pa.s。