1.一种检测重金属离子的多层微流控芯片，由第一层基片、第二层基片和第三层基片三部分组成，其特征在于：所述芯片呈圆形或矩形，由三层形状和尺寸大小一致的、透明材质的基片贴合在一起，用固定针通过固定孔固定，并能够拆卸；

所述第一层基片，在圆形或矩形的基片一侧上面加工有进样口，进样通道的一端连接进样口；进样通道依次穿过、围绕芯片边缘加工的波浪沉淀池、网格沉淀池、和凹坑沉淀池后，其另一端与漫流池连通；所述波浪沉淀池、网格沉淀池、和凹坑沉淀池的底部水平面均低于进样通道的底部水平面；所述波浪沉淀池的底部安装有竖直、横向进样通道流向的挡板；挡板的高度由低到高排列，最高挡板的顶部与进样通道的底部水平面平齐；所述网格沉淀池是由数个水平放置的网格组成，最高的网格顶部与进样通道的底部水平面平齐；所述凹坑沉淀池的底部加工有密布的小凹坑；漫流池的底部水平面低于进样通道的底部水平面；在圆形或矩形第一层基片的中间部位加工有贯通第一层基片底部的出样口，出样口内加工有滤网卡槽，滤网卡槽安装有凹面型的过滤网；所述进样口的直径尺寸大于进样通道的宽度尺寸，进样口的底面水平面低于进样通道的底面水平面；出样口通过漫流通道与漫流池相连通；漫流通道的底部水平面高于漫流池的底部水平面，低于进样通道的底部水平面；漫流通道的端头伸入在漫流池的中间部位，其端头加工成一个直径尺寸大于漫流通道宽度尺寸近似圆柱形的漫流柱；漫流柱顶部上加工有一个高于漫流通道底部水平面的环形壁，即为漫流通道的漫流入口；漫流入口的环形壁漫流结构的顶部水平面高度接近进样通道底部水平面高度；第一层基片的上表面的加工开口均密闭，在漫流入口和漫流通道的密闭层下，都安装有一层吸油材料；所述第一层基片上加工的所有功能区构件，均在圆形或矩形的基片一侧，不超过第一层基片总上表面积的2/3；所述第一层基片的另外一种规格，在基片上表面的一侧没有加工进样通道、和围绕芯片边缘加工的波浪沉淀池、网格沉淀池、以及凹坑沉淀池，样品直接在漫流池进样；

所述第二层基片在对应第一层基片的出样口的位置加工有二层进样口；二层进样口是上下贯通第二层基片的圆柱状通道；在二层进样口的上半部圆柱状侧壁上加工有一个圆筒卡槽，能够安装固定配合使用的固定圆筒，固定圆筒固定二层进样口中部位置的一个有机物吸收过滤网；二层进样口朝向第一层基片没有加工部件这一侧的中间方向上，在第二层基片底部加工有滤液通道，在滤液通道的顶部，都安装有一层吸油材料；滤液通道通往滤液排出口；滤液排出口是一个开口向下圆柱形，与第三层基片的滤液收集池相通，位置对应在第一层基片没有加工部件这一侧的中心区；

所述第三层基片在对应第一层基片没有加工部件这一侧的中心处，加工有一个圆形滤液收集池，滤液收集池与滤液排出口之间安装有一个过滤网；滤液收集池的圆周上均匀分布加工有3条以上的向外呈花瓣状发散的分液通道；每条分液通道的各项尺寸参数一致，其端头都连通到一个反应检测池；反应检测池和滤液收集池的底部水平面都低于分液通道的底部水平面。

2.根据权利要求1所述的一种检测重金属离子的多层微流控芯片，其特征在于：所述有波浪沉淀池、网格沉淀池、和凹坑沉淀池的芯片，每个芯片至少各有1个波浪沉淀池、网格沉淀池、和凹坑沉淀池；每个芯片根据芯片规格，能够有不同的波浪沉淀池、网格沉淀池、和凹坑沉淀池的数量。

3.根据权利要求1所述的一种检测重金属离子的多层微流控芯片，其特征在于：所述第一层基片、第二层基片、第三层基片固定时，相互之间都安装有密封垫。