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专利号: 2018109939954
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种大量程双模热感桥式微流量计,包括MEMS晶片、CMOS晶片和热感流量传感器,其特征在于,所述MEMS晶片和CMOS晶片键合而成;所述MEMS晶片上设有进口、出口和第一空腔,所述CMOS晶片上设有第二空腔,连接触点;所述热感流量传感器呈桥式结构,置于第一空腔和第二空腔之间,所述热感流量传感器包括一个热子和二个探子,二个探子对称分布于热子二侧,用于测量不同流速下热子上游和下游的温差,通过连接触点将温差信号传出,采用上述结构形成的微流量计具备温差测量模式和功率测量模式两种工作模式。

2.根据权利要求1所述的一种大量程双模热感桥式微流量计,其特征在于,所述MEMS晶片和CMOS晶片通过Al‑Ge共晶键合在一起。

3.根据权利要求1所述的一种大量程双模热感桥式微流量计,其特征在于,所述热感流量传感器的热子和探子均为多层结构,自下而上分别为Al层、SiO2层、AlN层、Mo层、AlN层和SOI(绝缘体上硅)层;其中Mo层为工作材料,AlN‑Mo‑AlN层组合为压电叠层,能够产生电信号。

4.根据权利要求1所述的一种大量程双模热感桥式微流量计,其特征在于,所述热子和探子的敏感栅,采用回字形结构。

5.根据权利要求1‑4任一项所述的一种大量程双模热感桥式微流量计,其特征在于,所述微流量计小于49SCCM流量采用温差测量模式,49‑160SCCM流量采用功率测量模式。