1.一种基于PVDF膜的亲水性导电纳滤膜，其特征在于，包括PVDF超滤膜本体和聚合在PVDF超滤膜本体表面的导电高分子层。

2.一种基于PVDF膜的亲水性导电纳滤膜制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1、制备铸膜液：

步骤1.1、将质量百分比为65％～70％的二甲基乙酰胺DMAC、质量百分比为15％～20％的聚偏氟乙烯PVDF和质量百分比为10％～20％聚乙烯吡咯烷酮PVP混合均匀得到铸膜液，其中，聚乙烯吡咯烷酮PVP作为膜的成孔剂，然后将铸膜液进行油浴、搅拌均匀后恒温静置；

步骤1.2、将经步骤1.1处理之后的铸膜液涂布在玻璃板上，然后将涂布好膜的玻璃板均匀的放在去离子水中，进行固液相转化，得到PVDF膜，最后将PVDF膜在去离子水中浸泡；

步骤2、制备表面聚合用的溶液：

步骤2.1、配置导电高分子单体溶液，导电高分子单体溶液为浓度为0.1mol/L～

0.2mol/L的吡咯溶液或者浓度为0.15mol/L～0.25mol/L的苯胺溶液，或者是浓度为

0.05mol/L～0.1mol/L的吡咯和浓度为0.05mol/L～0.1mol/L的苯胺的混合溶液，在导电高分子单体溶液中加入质量分数为20％～30％的乙醇溶液，加快吡咯或者苯胺在水溶液中的溶解；

步骤2.2、配置浓度为1mol/L～1.5mol/L的过硫酸铵溶液和质量分数为3％～6％的硫酸，然后混合得到酸性过硫酸铵混合溶液备用；

步骤3、制备PVDF膜表面聚合导电高分子层的复合导电纳滤膜：

步骤3.1、将步骤1得到的PVDF膜浸泡在步骤2.1中的溶液中一段时间；

步骤3.2、将经步骤3.1浸泡后的PVDF膜取出放在酸性过硫酸铵溶液中浸泡一段时间，此时PVDF膜的表层产生一层高分子层；

步骤3.3、将经步骤3.2表面聚合了高分子层的PVDF膜取出，用纯水充分浸泡；

步骤3.4、配置浓度为20％～30％的乙醇溶液；

步骤3.5、将步骤3.3经纯水浸泡后表面聚合了导电高分子层的膜浸泡在步骤3.4配置的乙醇溶液中一段时间，表面会有黑色物质脱落，此时，PVDF膜表面聚合导电高分子层亲水性复合导电纳滤膜制备成功。

3.根据权利要求2所述的一种基于PVDF膜的亲水性导电纳滤膜制备方法，其特征在于，所述步骤1.1中将二甲基乙酰胺DMAC、聚偏氟乙烯PVDF和聚乙烯吡咯烷酮PVP混合时采用常温水中超声震荡的方式，使铸膜液混合的更加均匀。

4.根据权利要求2所述的一种基于PVDF膜的亲水性导电纳滤膜制备方法，其特征在于，所述步骤1.1中油浴以及恒温静置时温度均控制在55℃～～65℃。

5.根据权利要求2所述的一种基于PVDF膜的亲水性导电纳滤膜制备方法，其特征在于，所述步骤1.2中采用刮刀，使用厚度为150μm-200μm的面在玻璃板上以10cm/s～10cm/s的速度均匀涂布；得到的PVDF膜在纯水里面浸泡时控制温度为25℃～30℃。

6.根据权利要求2所述的一种基于PVDF膜的亲水性导电纳滤膜制备方法，其特征在于，所述步骤3.1和步骤3.2中PVDF膜浸泡时均要求PVDF膜悬浮在整个溶液当中，浸泡时间均为

90s～150s。

7.根据权利要求2所述的一种基于PVDF膜的亲水性导电纳滤膜制备方法，其特征在于，所述步骤3.5中表面聚合了导电高分子层的膜浸泡在步骤3.4配置的乙醇溶液中的时间为

4min～6min。

8.一种基于PVDF膜的亲水性导电纳滤膜去除膜表面污染物的方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤a、将经权利要求2制备的基于PVDF膜的亲水性导电纳滤膜放入膜组件中，进行膜过滤，一段时间后，将电池负极连接到基于PVDF膜的亲水性导电纳滤膜表面上，基于PVDF膜的亲水性导电纳滤膜作为阳极，钛片作为阴极，构成电解池系统；

步骤b，将浓度为0.1mol/L～0.3mol/L的NaCl或KCl溶液通入系统中并在电解池系统两端施加电压进行电解反应，在通电过程中不断反转电压使膜的表面产生气蚀作用，直至膜表面污染物脱落。

9.根据权利要求8所述的一种基于PVDF膜的亲水性导电纳滤膜去除膜表面污染物的方法，其特征在于，所述步骤a中膜过滤时长为5h～6h。

10.根据权利要求8所述的一种基于PVDF膜的亲水性导电纳滤膜去除膜表面污染物的方法，其特征在于，所述步骤b中电解反应时两端电压为0.5V～2V，并不断的反转加在两极的电压，反转电压间隔20s～40s。