1.一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，所述方法利用逆温度溶解度在富铯生长体系中生长大尺寸零维钙钛矿发光单晶；

其中，所述带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的化学式为 Cs4PbBr6-mXm，X为卤族元素，m为卤族元素的掺杂含量，选自 0 6中的任意数值；X选自 Cl、Br、I；

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所述富铯生长体系为CsPbBr3、CsX与 DMSO组成的溶液体系，其中 X 为卤族元素，X选自Cl、Br、I；所述富铯生长体系中，CsPbBr3与CsX的摩尔比为1:1；所述富铯生长体系的浓度为 

0.1mol/L；

所述方法包括：将CsPbBr3与 CsX按比例混合溶解于 DMSO中，于室温下充分搅拌溶解获得饱和的生长溶液，以不高于 80°C的温度作为初始结晶温度，待自发结晶后，将温度提高 

5 20 °C，升温速率不大于 1°C/min，将晶体生长速度控制在 0.1 2mm/天，即可生长出带隙~ ~可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶 Cs4PbBr6-mXm；

所述带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的发光峰位位于 481-536nm，半高宽不大于 20nm。

2.根据权利要求1所述的一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，其特征在于，m 选自 0 3中的任意数值。

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3.根据权利要求2所述的一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，其特征在于，m 选自0 2 中的任意数值。

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4.根据权利要求3所述的一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，其特征在于，m 选自0 1.2中的任意数值。

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5.根据权利要求 1-4任一项所述的一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，其特征在于，所述带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的尺寸为毫米级别。

6.根据权利要求5所述的一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，其特征在于，所述带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的尺寸为 2 6mm。

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7.根据权利要求6所述的一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，其特征在于，所述带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的尺寸为 4mm。

8.根据权利要求1所述的一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，其特征在于，所述初始结晶温度为60 80°C。

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9.根据权利要求8所述的一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，其特征在于，所述初始结晶温度为60 °C。

10.根据权利要求1所述的一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，其特征在于，自发结晶后，将温度提高 5 20 °C。

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11.根据权利要求10所述的一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，其特征在于，自发结晶后，将温度提高 20 °C。

12.根据权利要求1所述的一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，其特征在于，温度提升速率不大于 1°C/min。

13.根据权利要求12所述的一种生长带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，其特征在于，温度提升速率为 1°C/min。

14.权利要求1-13中任一项所述的方法生长得到的带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶,其特征在于,所述带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的发光峰位位于 481-

536nm，半高宽不大于 20nm。