1.一种氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a)将重量比为70％～95％的氮化硅和将重量比为5％～30％的硅粉球磨混合；

b)将步骤a)的氮化硅和硅粉混合料使用表面改进剂处理；

c)将步骤b)得到的改性料与高分子混合粘结剂密炼造粒得到喂料；

d)将经步骤c)得到的喂料注塑成型并脱脂得到毛坯；

e)将经步骤d)得到毛坯在氮气气氛或者氮气混合气氛中气压烧结。

2.根据权利要求1所述的氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤a)中的氮化硅重量比为80％～90％，硅粉的重量比为10％～20％。

3.根据权利要求2所述的氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤a)中的氮化硅为α氮化硅与β氮化硅混合料，β氮化硅含量大于15％。

4.根据权利要求3所述的氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤a)中的氮化硅的D50为0.3～1.0un，硅粉的D50为1.0un～1.5um。

5.根据权利要求4所述的氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤b)表面改性剂为硬脂酸、硬脂酸铵、硅烷偶联剂中的一种，表面改性剂的质量比占氮化硅和硅粉混合料的

0.3％～1％。

6.根据权利要求5所述的氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤c)中的改性料与高分子混合粘结剂的重量比为80～90:10～20，密炼温度为170℃～190℃，密炼时间为1h～

4h。

7.根据权利要求6所述的氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤c)中的高分子混合粘结剂为以聚甲醛为主的混合粘结剂，包括聚甲醛、聚丙烯和高密度聚乙烯。

8.根据权利要求7所述的氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤d)中注塑温度为

175℃～195℃，脱脂为催化脱脂，催化脱脂温度为110℃～135℃，硝酸蒸汽速率为0.16ml/min～0.25ml/min。

9.根据权利要求8所述的氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤e)中当温度小于

800℃，为空气气氛无压升温过程，升温速率1℃/min，在250℃保温2h～10h，在450℃保温2h～10h；步骤e)中当温度大于800℃时，气氛为氮气或者氮气与氨气的混合气氛，炉内压力为

2MPa～10MPa，以2℃/min升温速率升至烧结温度保温后随炉气氛保护冷却，烧结温度为

1350℃～1450℃，保温时间2h～4h。

10.一种陶瓷覆铜板，其特征在于陶瓷覆铜板的陶瓷层使用权利要求1～9的任一权利要求所述的氮化硅陶瓷的制备方法制备得到。