1.一种钙钛矿器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤，

步骤1，将水凝胶氧化锡分散液稀释后得到氧化锡溶液，采用该氧化锡溶液在基片上制备氧化锡薄膜，将氧化锡薄膜热处理后得到电子传输层；

步骤2，将有机-无机卤素钙钛矿前驱体加入到有机溶剂DMI中，经搅拌和过滤后得到钙钛矿溶液，采用该钙钛矿溶液在电子传输层上制备得到钙钛矿薄膜，将钙钛矿薄膜处理后得到钙钛矿吸收层；

步骤3，采用该Spiro-OMTeAD溶液在电子传输层上制备得到Spiro-OMTeAD薄膜，作为空穴传输层；

步骤4，在空穴传输层上制备电极，得到钙钛矿器件。

2.根据权利要求1所述的一种钙钛矿器件的制备方法，其特征在于，步骤1中，制备氧化锡溶液时，将1mL质量分数15％的水凝胶氧化锡分散液取，稀释8-10倍，常温搅拌5h制备得到氧化锡溶液；制备氧化锡薄膜时，所采用的氧化锡溶液体积与薄膜面积比为0.7～2μL/cm2。

3.根据权利要求1所述的一种钙钛矿器件的制备方法，其特征在于，步骤1中，采用刮涂法在基片上印刷制备得到氧化锡薄膜；固定刮刀并调节刮刀与水平基片夹角为50°-90°，在

100℃的温度下，以50-150mm/s的速度单向水平移动刮刀，拖动氧化锡溶液在基片上成膜，得到氧化锡薄膜。

4.根据权利要求1所述的一种钙钛矿器件的制备方法，其特征在于，步骤1中，将氧化锡薄膜进行退火处理后得到电子传输层，退火温度为110-180℃，退火时间为20-30分钟。

5.根据权利要求1所述的一种钙钛矿器件的制备方法，其特征在于，步骤2中，所述有机-无机卤素钙钛矿前驱体采用MAI和Pb(Ac)2·3H2O，将摩尔配比为3:1的前驱体MAI和Pb(Ac)2·3H2O加入到有机溶剂DMI中混合均匀，将混合均匀后的溶液置于40℃下搅拌6小时以上，然后以0.45μm孔径的聚四氟乙烯过滤膜热过滤得到浓度为1.2M的有机-无机卤素钙钛矿MAPbI3溶液。

6.根据权利要求1所述的一种钙钛矿器件的制备方法，其特征在于，步骤2中，采用刮涂法在电子传输层上印刷制备得到钙钛矿薄膜；具体步骤如下，步骤2.1，将电子传输层在190-210℃温度下预热3分钟；

步骤2.2，固定刮刀并调节刮刀与水平基片夹角为50-90°；

步骤2.3，在低于50％湿度的空气环境下，在190-210℃的温度下，以600-1800mm/min的速度单向水平移动刮刀，拖动钙钛矿溶液在电子传输层上成膜，得到钙钛矿薄膜。

7.根据权利要求1所述的一种钙钛矿器件的制备方法，其特征在于，步骤2中，将钙钛矿薄膜进行退火处理后得到钙钛矿吸收层，退火条件为100℃退火6-12分钟。

8.根据权利要求1所述的一种钙钛矿器件的制备方法，其特征在于，步骤3中，制备Spiro-OMTeAD溶液时，称取0.45mg Spiro-OMTeAD溶解在1mL纯度为99.9％的超干乙酸乙酯溶液中，搅拌待完全溶解，再加入22μL质量浓度为520mg/mL的锂盐溶液和36μL的TBP，常温搅拌10分钟得到Spiro-OMTeAD溶液。

9.根据权利要求1所述的一种钙钛矿器件的制备方法，其特征在于，步骤3中，采用刮涂法在钙钛矿吸收层上印刷制备得到Spiro-OMTeAD薄膜；在25-70℃的温度下，以600-

1800mm/min的速度单向水平移动刮刀，拖动Spiro-OMTeAD溶液在钙钛矿吸收层上成膜，得到空穴传输层。

10.一种钙钛矿器件，其特征在于，由权利要求1-9任意一项所述的方法制得。