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专利号: 2018108392822
申请人: 辽宁科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 晶体生长〔3〕
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种以废镁碳砖基质料为原料制备氧化镁晶须的方法,其特征在于,包括下述步骤:

1)按照重量百分比称量原料废镁碳砖基质料90~96%、金属铝粉2~5%、纳米二氧化硅粉2~5%,各原料组分合计100%;

2)将第1)称取得原料倒入混砂机中干混2 5分钟,加入3~5%的酚醛树脂结合剂混合3~ ~

7分钟得到混合料;

3)将第2)步得到的混合料,以100~500MPa压力在压力机上压制成型;

4)将第3)步成型后的试样,经干燥箱干燥,干燥温度为100~500℃;

5)将第4)步得到的试样,放在加盖的氧化铝坩埚中,经高温炉碳热还原,温度为1000~

1700℃;

6)烧结后的试样随炉自然冷却,晶须附着在成型试样外部,剥离后得到氧化镁晶须。

2.根据权利要求1所述的制备氧化镁晶须的方法,其特征在于,所述废镁碳砖基质料中的MgO含量的重量百分比≥75%,碳含量≥22%,杂质含量的重量百分比≤3%,颗粒度≤

0.088mm。

3.根据权利要求1所述的制备氧化镁晶须的方法,其特征在于,所述金属铝粉的Al含量的重量百分比大于99%,粒度≤45um。

4.根据权利要求1所述的制备氧化镁晶须的方法,其特征在于,所述纳米二氧化硅粉的SiO2含量的重量百分比大于99%,中位径为30nm。

5.根据权利要求1所述的制备氧化镁晶须的方法,其特征在于,所述的酚醛树脂结合剂为热固性或热塑性。

6.根据权利要求1所述的制备氧化镁晶须的方法,其特征在于,所述氧化镁晶须直径在

1 20um之间,长径比在20 100um之间,强度为10GPa,熔点在2800℃以上。

~ ~

7.根据权利要求1所述的制备氧化镁晶须的方法,其特征在于,所述废镁碳砖基质料中的残碳含量高,为转炉炼钢用后镁碳砖、钢包用后镁碳砖,或者是用后镁碳质滑板经过处理回收了颗粒料部分后的二次废弃料。

8.根据权利要求1所述的制备氧化镁晶须的方法,其特征在于,所述废镁碳砖基质料为废镁碳砖经烧失法处理后,剩余不可利用的废弃料。

9.根据权利要求1所述的制备氧化镁晶须的方法,其特征在于,具体包括以下步骤:称量原料,废镁碳砖基质料94%,金属铝粉3%,纳米二氧化硅粉3%;

将1)称取得原料倒入混砂机中干混2分钟,加入4%酚醛树脂混合3分钟得到混和料;

将第2)步得到的混合料,以100MPa压力在压力机上压制成型;

将第3)步成型后的试样,经干燥箱干燥,干燥温度为100℃;

将第4)步得到的试样,放在加盖的氧化铝坩埚中,经高温炉碳热还原,温度为1000℃;

6) 烧结后的试样随炉自然冷却,晶须附着在成型试样外部,剥离后得到氧化镁晶须。