1.一种OLED器件封装方法，其特征在于，包括如下步骤：在OLED器件的结构件上进行涂胶、光刻、显影以形成铟墙图形；

在所述铟墙图形上电铸铟阻隔墙，随后除胶；

在真空条件下，利用超声波将盖片冷压键合在所述铟阻隔墙上；

所述OLED器件具有阴极环；

所述电铸以OLED器件的阴极环作为阴极；

2

所述电铸的电流为18‑22mA/cm；电解液温度为20‑30℃；电铸时间为25‑35min；

所述冷压键合的温度为20‑120℃。

2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述OLED器件为顶发射OLED器件。

3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述结构件为形成有阴极环的衬底，所述铟墙图形设置在阴极环的顶面外侧。

4.根据权利要求1或2所述的封装方法，其特征在于，所述铟阻隔墙的厚度为1‑3000μm。

5.根据权利要求4所述的封装方法，其特征在于，所述铟阻隔墙的厚度为1000‑2000μm。

6.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述电铸采用的电解液为硫酸铟和柠檬酸的混合溶液，其中，硫酸铟的浓度为45‑55g/L，柠檬酸的浓度为25‑35g/L。

7.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述超声波频率为62kHz‑3MHz。

‑

8.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述真空条件为真空度≤1×105

torr。

‑8

9.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于，所述真空条件为6×10 torr。

10.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，采用有机溶剂进行所述除胶；

所述有机溶剂选自NMP、IPA和丙酮中的任意一种或多种。

11.一种OLED封装器件，其特征在于，采用权利要求1‑10任一项所述的封装方法封装得到；

OLED封装器件包括OLED器件及封装结构，所述OLED器件具有阴极环，所述封装结构包括设置在阴极环顶面外侧的铟阻隔墙和设置在铟阻隔墙上方的盖片。

12.权利要求11所述的OLED封装器件的制造方法，其特征在于，包括如下顺序进行的步骤：

在形成有阴极环的衬底上形成铟墙图形，使铟墙图形覆盖在阴极环的顶面外侧；

在所述铟墙图形上电铸铟阻隔墙；

在电铸有铟阻隔墙的衬底上制备有机发光层和阴极层；

在真空条件下，利用超声波将盖片冷压键合在所述铟阻隔墙上。

13.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求11所述的OLED封装器件。