1.一种透射式纳米绒面化InAlN基PETE太阳电池结构，其特征在于，由上而下依次包括以下结构：石英玻璃、透明导电层、ZnO纳米线层、阴极、绝热隔热垫、阳极；所述的透明导电层为ITO、AZO或FTO导电玻璃；应用激光分子束外延和沉积系统将ZnO纳米线形成在透明导电层上；所述阴极由上而下依次包括以下结构：AlN缓冲层、INAlN渐变吸收层和InN发射层；

应用激光分子束外延和沉积系统依次沉积阴极的AlN缓冲层、INAlN渐变吸收层和InN发射层，最初的窗口层用AlN靶材来沉积，然后应用In靶材沉积得到INAlN层和InN层；所述阴极为InxAl1-xN叠层结构，其中x由上而下从0逐渐增大到1。

2.根据权利要求1所述的透射式纳米绒面化InAlN基PETE太阳电池结构，其特征在于，所述绝热隔热垫采用O型垫圈，其厚度为0.1 3mm。

~

3.根据权利要求1所述的透射式纳米绒面化InAlN基PETE太阳电池结构，其特征在于，所述阳极为金刚石薄膜阳极。

4.根据权利要求3所述的透射式纳米绒面化InAlN基PETE太阳电池结构，其特征在于，所述金刚石薄膜阳极由热丝CVD法制备而成。

5.一种太阳电池的InxAl1-xN叠层结构阴极的制备方法，其特征在于，

将已生长好ZnO纳米线层的透明导电层作为衬底放入激光分子束外延和沉积系统中，环形In靶套在圆形AlN靶的外面，构成一个组合靶；

开启一路激光照射圆形AlN靶，产生AlN羽辉，AlN沉积在衬底上，形成组分渐变的太阳能薄膜电池阴极的第一层，AlN缓冲层；

开启两路激光分别照射圆形AlN靶和环形In靶，同时产生AlN羽辉和In羽辉，形成InAlN沉积在衬底上，得到阴极的中间层，InAlN渐变吸收层；

开启一路激光照射圆形靶材的环形周围，同时向脉冲激光沉积系统的超高真空反应室中通入氮气、氨气或等离子氮源，在N等离子体气体氛围下，产生In羽辉，形成InN沉积在衬底上，得到InN发射层。