1.一种光电阴极，其特征在于，以硒化镉为吸光物质，以四氧化三钴为空穴传导层；通过离子层吸附的方法，将硒化镉负载在四氧化三钴基底上，再通过光辅助电沉积的方法沉积一层二硫化钼作为助催化剂。

2.一种光电阴极的制备方法，其特征在于，所述光电阴极是硒化镉敏化的四氧化三钴光电阴极，所述方法包括如下步骤：(1)清洗FTO导电玻璃；

(2)制备FTO/Co3O4基底：将步骤(1)处理后的FTO导电玻璃与硝酸钴、尿素，于100℃水热处理2-6小时，冷却后冲洗、干燥，于430℃焙烧3小时，得到FTO/Co3O4；

(3)制备FTO/Co3O4/CdSe电极：采取离子交替吸附的方式将硒化镉沉积在FTO/Co3O4上；

(4)通过负载MoS2助催化剂制备FTO/Co3O4/CdSe/MoS2电极，使用光辅助电化学沉积的方法负载MoS2。

3.根据权利要求2所述的一种光电阴极的制备方法，其特征在于，步骤(1)清洗FTO导电玻璃，是将FTO玻璃切成小块，然后称取一定质量的氢氧化钾，向氢氧化钾中加入适量的异丙醇配制成氢氧化钾的异丙醇溶液，配制完溶液后将切好的FTO导电玻璃放入溶液中，在回流的条件下煮沸20-50分钟，随后取出分别在去离子水、丙酮及乙醇中超声多次，取出后在干燥箱中101～115℃干燥。

4.根据权利要求3所述的一种光电阴极的制备方法，其特征在于，步骤(1)中氢氧化钾的异丙醇溶液中氢氧化钾的浓度为2mol·L-1。

5.根据权利要求3所述的一种光电阴极的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，在干燥箱中干燥10-40分钟。

6.根据权利要求2～5任一所述的一种光电阴极的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，将经过步骤(1)处理好的FTO导电玻璃放入水热反应釜中，然后加入含有0.05M硝酸钴和等浓度的尿素溶液，100℃水热2-6小时，自然冷却后用去离子水冲洗，60℃干燥后放入马弗炉中430℃焙烧3小时，得到FTO/Co3O4。

7.根据权利要求2～5任一所述的一种光电阴极的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，首先，称取一定量硒粉和硼氢化钠，并加入一定体积无水乙醇剧烈搅拌得到无色澄清的Se2-溶液，然后，取等体积无水乙醇，向无水乙醇中加入一定量氯化镉超声溶解得到Cd2+溶液，最后，将FTO/Co3O4顺次浸入上述Se2-溶液和Cd2+溶液中，每次30s，通过浸泡次数来控制硒化镉的含量。

8.根据权利要求2～5任一所述的一种光电阴极的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，制备含有一定浓度的硫代钼酸铵的氯化钾溶液作为沉积液，将沉积液加入三通槽中用氮气排去沉积液中的氧气，将FTO/Co3O4/CdSe在恒定电势、可见光下沉积一段时间，然后，将得到的FTO/Co3O4/CdSe/MoS2电极用去离子水冲洗掉表面残余的硫代钼酸铵前驱体，自然干燥。

9.权利要求1所述的光电阴极在光电化学分解水产氢、太阳能光伏设备、光电化学降解有机废物、光电化学催化有机合成反应中的应用。