1.含半绝缘区的MOSFET，其特征在于，半绝缘区(222)位于并排设置的第一导电类型半导体掺杂的基区(22)和第二导电类型半导体掺杂的源区(21)的下方，半绝缘区由如下步骤生成：A、将第一导电类型的杂质元素注入到第二导电类型半导体掺杂的漂移层(12)内；

B、继续注入第二导电类型的杂质元素，形成电中性区域；

C、在形成电中性区域上继续注入两性杂质元素，形成半绝缘区(222)；半绝缘区(222)的底部和侧面均与第二导电类型半导体掺杂的漂移层(12)接触；半绝缘区(222)的宽度等于第一导电类型半导体掺杂的基区(22)与第二导电类型半导体掺杂的源区(21)宽度和；半导体掺杂的基区(22)与第二导电类型半导体掺杂的源区(21)的深度一致。

2.根据权利要求1所述的含半绝缘区的MOSFET，其特征在于，第一导电类型掺杂的基区(22)和第二导电类型掺杂的源区(21)宽度比为1：1-3。

3.根据权利要求1或2所述的含半绝缘区的MOSFET，其特征在于，采用体硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟或者锗硅半导体材料制作。

4.根据权利要求1或2所述的含半绝缘区的MOSFET，其特征在于，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型；或者第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。

5.含半绝缘区的MOSFET的制备方法，步骤为：

A、将第一导电类型的杂质元素注入到第二导电类型半导体掺杂的漂移层(12)内；

B、继续注入第二导电类型的杂质元素，形成电中性区域；

C、在形成电中性区域上继续注入两性杂质元素，形成半绝缘区(222)；

D、在半绝缘区(222)表面注入第一导电类型的杂质元素，形成第一导电类型半导体掺杂的基区(22)；

E、在第一导电类型半导体掺杂的基区(22)外侧注入第二导电类型的杂质元素，形成第二导电类型半导体掺杂的源区(21)；

F、在第一导电类型半导体掺杂的基区(22)形成的沟道区域上方生长氧化层，形成绝缘栅层(11)；

G、在第二导电类型半导体掺杂的源区(21)的顶部、绝缘栅层(11)的顶部和第二导电类型半导体掺杂的衬底(14)的底部，分别对应生成源极(31)、栅极(32)和漏极(33)。

6.根据权利要求5所述的含半绝缘区的MOSFET的制备方法，其特征在于，第一导电类型半导体掺杂的基区(22)的掺杂浓度为5×1016cm-3～5×1017cm-3。

7.根据权利要求5所述的含半绝缘区的MOSFET的制备方法，其特征在于，步骤C中半绝缘区(222)的深度和步骤B中的电中性区域的深度一致。