1.一种基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜，其特征在于，所述基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜包括晶体Ag纳米线网格和包裹所述晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜。

2.根据权利要求1所述的基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜，其特征在于，所述晶体Ag纳米线网格为由连续线条组成的图案，所述连续线条的长度为20-2000nm。

3.根据权利要求1所述的基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜，其特征在于，所述晶体Ag纳米线网格中，Ag纳米线的线宽为50-900nm。

4.权利要求1-3中任一项所述的基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在LED外延片的p型GaN薄膜上旋涂光刻胶，使用掩膜板进行曝光处理，从而在p型GaN薄膜上获得生长晶体Ag纳米线网格所需的图案；

2)在p型GaN薄膜上沉积30-990nm的Ag，随后在真空炉中退火；

3)去除光刻胶，清洗干净，在70-200℃的真空炉中烘干以去除PVP，得到晶体Ag纳米线网格；

4)在晶体Ag纳米线网格上溅射Al掺杂ZnO颗粒，退火处理，使Al掺杂ZnO颗粒形成薄膜，并完全包裹晶体Ag纳米线网格，即得到基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中，采用磁控溅射沉积Ag，磁控溅射的条件控制为：沉积温度为室温，溅射功率为250-500W，Ar气压为0.01-10Pa，真空为

0.00001-0.001Pa，耙材为99.999％的Ag靶。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中，真空炉中退火的温度为

100-200℃，退火时间为30-360min。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤4)中，采用磁控溅射或溅射仪在晶体Ag纳米线网格上溅射Al掺杂ZnO颗粒，溅射过程的条件控制为：溅射温度为25-200℃，溅射功率为250-500W，Ar气压为0.01-10Pa，真空为0.00001-0.001Pa，所用靶材为掺Al5％的ZnO陶瓷靶，ZnO纯度为99.95％以上。

8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤4)中，退火处理的温度为200-400℃，退火时间为30-120min。

9.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括权利要求1-3中任一项所述的基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜。