1.一种低电阻泡沫金属的制备方法，其特征在于：以聚氨酯泡沫为骨架，在聚氨酯泡沫上采用磁控溅射工艺制备Ni-Al-Ni三层结构复合膜，其中，聚氨酯泡沫骨架上Ni-Al-Ni复合膜的厚度为20 30μm。

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2.根据权利要求1所述的一种低电阻泡沫金属的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、取聚氨酯泡沫进行预处理：清洗，并在KOH溶液中浸泡10 20min，然后采用去离~子水清洗后，置于酒精中超声波清洗3 5min；

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步骤二、在磁控溅射镀膜机上安装两块Al靶材，一块Ni靶材；

步骤三、以步骤一的聚氨酯泡沫为基片，在聚氨酯泡沫上镀打底Ni膜层；之后在打底Ni膜层上镀Al膜层，并在Al膜层上镀外Ni膜层。

3.根据权利要求2所述的一种低电阻泡沫金属的制备方法，其特征在于：步骤三中，打底Ni膜层和外Ni膜层的厚度均为50 100nm。

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4.根据权利要求2所述的一种低电阻泡沫金属的制备方法，其特征在于：步骤三中，采用磁控溅射镀膜机镀Ni的参数为：功率为200 300W，气压为0.5 1Pa，偏压为50 200W。

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5.根据权利要求2所述的一种低电阻泡沫金属的制备方法，其特征在于：步骤三采用双靶磁控溅射共沉积法镀Al膜层，功率为300 500W，气压为0.5 1Pa，偏压为50 200W，时间为~ ~ ~

6h。

6.根据权利要求5所述的一种低电阻泡沫金属的制备方法，其特征在于：设定自动工艺，功率每隔1h，直流电源有30 50W的上下移动。

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7.根据权利要求5所述的一种低电阻泡沫金属的制备方法，其特征在于：双靶磁控溅射共沉积法的真空度保持在4.0×10-5 Pa以下。