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专利号: 2018102058325
申请人: 重庆邮电大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2024-02-26
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种太赫兹波段超材料传感器,包括介质层,其特征在于,还包括附在所述介质层上的亚波长金属阵列,利用其谐振模式对折射率变化较为敏感的特性,将它用于对折射率的传感;所述亚波长金属阵列包含金属条(2) 和多个谐振环(1)组成的结构单元,所述谐振环(1)用于在太赫兹波激励下实现谐振,金属条(2) 用于引入结构的非对称性,实现类EIT效应,每个谐振环(1)为圆弧,多个谐振环(1)整体组合成为一个圆形谐振环,且在圆形谐振环的斜对称方向设有若干个大小相同的开口,金属条(2)位于圆形谐振环中且相对于圆形谐振环的中心上方位置处;

所述金属条(2)向上平移,形成在x方向的非对称结构,由金属条平移距离为0μm时表现出的亮模式和平移距离为1μm的表现出的暗模式发生强耦合,产生类EIT电磁诱导透明效应;

所述谐振环(1)的个数为4个,大小相同的开口的个数也为4个;

介质层材料为高阻硅,厚度为50.0μm,所述谐振环外半径为24.0μm,内半径为20.0μm,开口为3.0μm;所述金属条长为40.0μm,宽为4.0μm。