1.一种Co掺杂MoS2阵列原位电极的CVD制备方法，其特征在于，具体制备方法为：（1）钴盐和氯化钼溶于挥发非水溶剂中，获得Co-Mo前躯液；

（2）上述前躯液涂布到基底上，干燥后在Ar+S气氛中或N2+S气氛中，CVD硫化。

2.权利要求1 所述的Co掺杂MoS2阵列原位电极的CVD制备方法，其特征在于，挥发非水溶剂，包括：乙醇、N, N-二甲基甲酰胺。

3.权利要求1 所述的Co掺杂MoS2阵列原位电极的CVD制备方法，其特征在于，氯化钼溶于挥发非水溶剂，其中Co、Mo原子的浓度之和为200 700 mM，Co、Mo原子为任意浓度关系。

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4.权利要求1 所述的Co掺杂MoS2阵列原位电极的CVD制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述的干燥是在空气中干燥，或于热台上70 100℃快速干燥。

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5.权利要求1 所述的Co掺杂MoS2阵列原位电极的CVD制备方法，其特征在于，所述的基底包括碳布、石墨纸、铜或镍箔中的任意一种。

6.权利要求1 所述的Co掺杂MoS2阵列原位电极的CVD制备方法，其特征在于，CVD硫化，反应温度为600 800℃，反应时间为10 min 2 h。

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7.权利要求1 所述的Co掺杂MoS2阵列原位电极的CVD制备方法，其特征在于，Ar+S气氛或N2+S气氛中，Ar、N2为保护气体，气体流量1~10 SCCM；S气体为硫粉蒸发形成，硫粉的量远过量于钼原子。