1.一种Co掺杂MoS2阵列原位电极的CVD制备方法，其特征在于，在室温下，将氯化钴、氯化钼溶于乙醇溶液，其中氯化钼的浓度为290 mM，钴原子与钴原子加钼原子数目之和的比为20%；将该前躯液滴涂到平整的石墨纸基底表面，于热台上90℃干燥10 min；将有涂层的基底放入管式炉，通Ar气抽真空反复三次将管式炉内残余空气排出后，再通Ar，流量为2 SCCM，管式炉上部放有1g硫粉，随着管式炉内温度升高，硫粉蒸发形成硫蒸气，在Ar+S气氛下800℃反应30 min，自然冷却后取出，所制备样品含有Co、Mo、S三种元素，其中C来自于石墨纸基底，Co、Mo、S三种元素均匀分布，即Co均匀地掺入了MoS2，形成了Co掺杂MoS2阵列原位电极，该样品的物相为2H型的MoS2。

2.一种Co掺杂MoS2阵列原位电极的CVD制备方法，其特征在于，在室温下，将氯化钴、氯化钼溶于乙醇溶液，其中氯化钼的浓度为290 mM，钴原子与钴原子加钼原子数目之和的比为10%；将该前躯液滴涂到平整的石墨纸基底表面，于热台上90℃干燥10 min；将有涂层的基底放入管式炉，通Ar气抽真空反复三次将管式炉内残余空气排出后，再通Ar，流量为2 SCCM，管式炉上部放有1 g硫粉，随着管式炉内温度升高，硫粉蒸发形成硫蒸气，在Ar+S气氛下800℃反应30 min，自然冷却后取出即可，该产品许多的100 nm宽、20 nm厚的纳米片垂直于基底生长。