1.一种采用电子束蒸发技术制备Ga2O3光电薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）、以Ga2O3粉（纯度高于99.995%）为原料，将粉体研磨、造粒后冷压成型为圆柱样品, 再于100-300MPa下冷等静压成型，压胚经过500-1000oC保1-5h预烧，再在真空度1×10-1-5×10-1Pa下进行700-1200oC保温1-5h烧结；

2）、将真空烧结后的压胚粉碎成3-5mm大小的不规则颗粒，并置于镀膜真空室中的水冷坩埚中，将真空度抽至1×10-3-4×10-3Pa；同时对衬底进行加热，加热温度为25-100oC；

3）、当真空度和加热温度都达到设定要求时，打开通气阀门，向真空室中通入高纯氧气-2 -2（纯度99.999%），氧气分压为1.4×10 -2.6×10 Pa，并保持响应真空度稳定后再开始镀膜；

4）、关闭蒸发源挡板，打开电子枪，调整枪灯丝电流至5-30mA对坩埚中的膜料进行预熔处理，同时调整电子束束斑位置，使膜料颗粒受热充分而微熔粘连；

5）、打开蒸发源挡板，调整枪灯丝电流至10-50mA对坩埚中的膜料进行加热蒸发；

6）、镀膜完毕，关闭蒸发源挡板，关闭电子枪，保持加热温度和氧气分压条件不变，使薄膜原位存储，然后降温取样。