1.一种用于手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片的制备方法，其特征在于，所述SPR传感器芯片包括SPR芯片和分子印迹薄膜，所述方法包括如下步骤：（1）修饰SPR芯片：在SPR芯片表面形成单分子自组装膜；

（2）将步骤(1) 经修饰的SPR 芯片浸入含有氧化石墨烯、L-色氨酸、多巴胺和过硫酸铵的预聚合液中，除氧后50 70℃条件下引发聚合，在SPR 芯片表面形成一层原位聚合的分子~印迹薄膜，得到能够手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片。

2.根据权利要求1所述手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片的制备方法，其特征在于步骤(1) 所述SPR芯片为裸金芯片，修饰前需要清洗，清洗方法如下：将裸金芯片放入Piranha洗液，待Piranha洗液降低到60℃以下放入裸金芯片浸泡5 10 ~min；然后用去离子水和无水乙醇冲洗芯片，最后用氮气吹干，所述Piranha洗液是由浓H2SO4与浓度为30%的H2O2溶液混合配制而成，浓H2SO4与H2O2溶液体积比为7:（3 5）。

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3.根据权利要求1所述手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片的制备方法，其特征在于步骤(1) 所述SPR芯片修饰的具体方法如下：将裸金芯片置于10 20mM的β-巯基乙胺-乙醇溶~液中，浸泡20 30 h；取出芯片后，用去离子水和乙醇冲洗芯片表面，用氮气吹干。

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4.根据权利要求1所述手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片的制备方法，其特征在于步骤（2）的具体方法如下：氧化石墨烯放入10 20 mM的三羟甲基氨基甲烷缓冲溶液中，冰水水~浴超声30 40 min直至氧化石墨烯完全溶解，然后加入多巴胺和L-色氨酸、过硫酸铵，振荡~并超声溶解5 10 min，通氮气除氧8 15 min，得到预聚合液；将经过修饰的SPR裸金芯片浸~ ~于预聚合液中，继续通氮5 10 min，密封反应容器，置于真空干燥箱50 70℃下聚合6 18 h，~ ~ ~即可在芯片表面获得分子印迹薄膜；用甲醇-盐酸混合溶液洗脱3 4次，得到能够手性识别~L-色氨酸的SPR传感器芯片。

5.根据权利要求4所述手性识别L-色氨酸的SPR传感器芯片的制备方法，其特征在于步骤（2）中氧化石墨烯与L-色氨酸的质量比为0.2 1.8，多巴胺与L-色氨酸的摩尔比为0.16~ ~

1.5，过硫酸铵与多巴胺的质量比为0.5 2.5。

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