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专利号: 2018101264804
申请人: 电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2026-07-21
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种超宽带低剖面对数周期单极子端射天线,其特征在于:包括从上到下依次连接的上层介质板(1)、支撑介质板(3)、金属地(4)、下层介质板(5)和微带连接件(6),支撑介质板(3)上安装有金属单极阵子组(2),金属单极阵子组(2)包括二十四个长度呈对数周期分布的金属单极阵子(7),金属单极阵子(7)之间的距离满足对数周期律,金属单极阵子(7)长度超过支撑介质板(3)高度的部分折弯与上层介质板(1)的下表面贴合;

所述金属地(4)上设有金属地扇形孔(8)和金属地缝隙(9),金属地扇形孔(8)和金属地缝隙(9)连通,金属地扇形孔(8)的半径位于3mm-6mm之间,扇形角度位于80度到120度之间,金属地缝隙(9)的宽度为0.2mm-1mm;

所述微带连接件(6)位于下层介质板(5)的下表面,微带连接件(6)包括扇形微带贴片(10)和馈电微带线(11),馈电微带线(11)与扇形微带贴片(10)相连,扇形微带贴片(10)的扇形半径位于3mm-5mm之间,扇形角度为80度-120度之间,厚度位于0.018mm-0.035mm之间;

馈电微带线(11)的宽度位于0.5mm-1mm之间,馈电微带线(11)的厚度位于0.018mm-0.035mm之间;馈电微带线(11)中与扇形微带贴片(10)相连的端部与金属地扇形孔(8)和金属地缝隙(9)相连的部分垂直;

所述金属单极阵子(7)的厚度为0.018mm-0.035mm,金属单极阵子(7)高度的最大尺寸位于25mm-30mm之间,金属单极阵子(7)的比例因子位于0.85-0.95之间,轮廓角大小位于28度-32度之间;

所述金属地(4)为长方体结构,金属地(4)的长度位于100mm-130mm之间,宽度位于

35mm-50mm之间,厚度位于0.018mm-0.035mm之间;

支撑介质板(3)垂直于上层介质板(1)和下层介质板(5),并设置在上层介质板(1)和下层介质板(5)之间,支撑介质板(3)的长度最大值为80mm,宽度的最大尺寸为12.035mm;长度高于12mm的金属单极阵子(7)中12mm长度的底部与长度不高于12mm长度的金属单极阵子(7)以互补结构的形式位于支撑介质板(3)的两面。

2.根据权利要求1所述的一种超宽带低剖面对数周期单极子端射天线,其特征在于:所述上层介质板(1)的厚度为0.2mm-1mm,上层介质板(1)的介电常数为3.66。

3.根据权利要求1所述的一种超宽带低剖面对数周期单极子端射天线,其特征在于:所述支撑介质板(3)的厚度为0.2mm-1mm,介电常数为3.66。

4.根据权利要求1所述的一种超宽带低剖面对数周期单极子端射天线,其特征在于:所述下层介质板(5)的厚度为0.5mm-1.5mm,介电常数为10.2。