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专利号: 2017112418318
申请人: 重庆文理学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种半透明YAG发光薄陶瓷半自由成型的方法,其特征在于,它是以氧化钇Y2O3,氧化铝Al2O3,氧化铈CeO2为原料制得YAG荧光粉,再将YAG荧光粉与粘合剂研磨混合,再经过真空脱气,浇制成型、真空干燥、采用低温真空烧结脱脂、还原气氛烧结提升其发光性能、高温真空烧结、低温退火等步骤实现;其中所述氧化物原料摩尔比为3:3 6:0.04 0.08;所述粘合~ ~剂为纯丙乳液、苯丙乳液、醋丙乳液、硅丙乳液、乙烯基乳液,氟炭乳液中的一种或多种混合。

2.如权利要求1所述的一种半透明YAG发光薄陶瓷半自由成型的方法,其特征在于,它是包括下列步骤:A.YAG荧光粉的制备:取氧化钇Y2O3,氧化铝Al2O3,氧化铈CeO2,经过研磨混合均匀,然后采用高温固相法,在1600℃还原气氛中烧结制得YAG荧光粉,还原气氛为体积比H2:N2=10:

90;

B.素坯的制备:取步骤A中制得的YAG荧光粉,于温度20 25℃环境条件下加入粘合剂研~磨混合均匀,置于真空箱中脱气,设置真空度为-0.05MPa -0.08Mpa,真空3 5分钟,取出,在~ ~模具上浇制成型,再置于真空箱中脱气、风干,取下,即得素坯,备用;所述YAG荧光粉与粘合剂的质量比为5:1 9;

~

C.成型:将步骤B中制得的素坯放入真空炉中以800 1700℃煅烧2 20h,煅烧程序:先在~ ~

800 1200℃真空烧结2 3h,脱去试样中的粘结剂,继续升温至1400 1650℃还原气氛中烧结~ ~ ~

2~5h,还原气氛为体积比的H2:Ar=10:90~98,继续升温到1700℃在真空条件下烧结2~15h,取出,再经退火处理即得。

3.如权利要求1或2所述的一种半透明YAG荧光薄陶瓷半自由成型的方法,其特征在于,所述YAG荧光粉的组成为YAG:Ce3+;所述YAG荧光粉的基质为Y3Al5O12;所述粘合剂优选为苯丙乳液和乙烯基乳液组成的复合粘合剂,二者需按质量比为1:0.8 1.2混合制得。

~

4.如权利要求1、2或3所述的一种半透明YAG发光薄陶瓷半自由成型的方法,其特征在于,所述YAG荧光粉的激发峰为460nm±10nm和550nm±10nm,其发射光谱在500~700 nm之间宽带发射和425~475nm的蓝光窄带发射,其中的宽带发射中最高峰位于550nm能与蓝光发光匹配。

5.如权利要求1-4任一项所述方法制得的半透明YAG发光薄陶瓷在照明系统中的新应用,所述照明系统的激发光源为激光光束或普通LED芯片。