1.一种g-C3N4修饰ZnO/CdS光阳极材料的方法，其特征在于，采用一步水热法，使水热合成ZnO膜的过程中负载g-C3N4，常温下进行离子吸附CdS，提高其光电性能，其特征在于，包括以下步骤：步骤1)水热合成g-C3N4/ZnO薄膜采用掺杂氟的二氧化锡导电玻璃(FTO)，以硝酸锌的水溶液为反应溶液， 调节pH，搅拌均匀，在一定温度下水热合成，并经过热处理得到g-C3N4/ZnO薄膜；

步骤2)离子吸附CdS采用硝酸镉的乙醇溶液和硫化钠的甲醇溶液，将g-C3N4/ZnO薄膜的导电玻璃分别浸泡在上述两种溶液中各30s，若干循环后，得到g-C3N4/ZnO/CdS光阳极薄膜材料，并对其进行热处理。

2.如权利要求1所述的g-C3N4修饰ZnO/CdS光阳极材料的方法，其特征在于：硝酸锌溶液的浓度为0.04mol/L。

3.如权利要求1所述的g-C3N4修饰ZnO/CdS光阳极材料的方法，其特征在于：g-C3N4溶液的浓度为2mg/mL 。

4.如权利要求1所述的g-C3N4修饰ZnO/CdS光阳极材料的方法，其特征在于：水热合成温度为80℃。

5.如权利要求1所述的g-C3N4修饰ZnO/CdS光阳极材料的方法，其特征在于：离子吸附CdS的循环次数为2-10次。