1.一种ZnO基LED器件，其特征在于，在生长在p型衬底上的高质量氧化物/金属核壳结构量子点上，继续外延生长并制备ZnO基LED器件，其中包括p型衬底，高质量金属量子点核心，包覆金属量子点的金属氧化物壳层，p型NiO，n型ZnO，电极，具体的制备过程为：在氧化物/金属核壳结构量子点上生长Mg掺杂p型NiO薄膜，外延层的厚度约为500nm，其载流子的浓度为1×10(1)衬底的处理：将P型衬底放入去离子水中，在室温下超声清洗5min，去除P型衬底表面粘污颗粒，再依次经过盐酸、丙酮、乙醇洗涤，去除表面有机物，用高纯干燥氮气吹干，将P型衬底置于真空室中，真空度为8.6×10(2)金属超薄薄膜的制备：在温度为250℃的高真空条件下，真空度为4×10

(3)金属量子点的制备：在温度为800℃的高真空条件下，真空度为8.4×10

(4)金属氧化物壳层的制备：在温度为700℃通入0.004Torr的氧等离子体的条件下，对Pt金属量子点进行氧化处理60min，利用氧化反应在Pt金属量子点外面形成一层均匀的、厚度为2nm的金属氧化物壳层，从而获得了氧化物/金属核壳结构量子点；

所述氧化物/金属核壳结构量子点，包括由下至上依次排列的p型衬底、Pt金属量子点核心以及包覆金属量子点的金属氧化物壳层。

2.一种ZnO紫外光电探测器，其特征在于，将生长在p型衬底上的氧化物/金属核壳结构量子点用于制备光电探测器：在生长在p型衬底上的高质量氧化物/金属核壳结构量子点上，继续外延生长ZnO并制备光电探测器，其中包括p型衬底，高质量金属量子点核心，包覆金属量子点的金属氧化物壳层，n型ZnO和电极；具体制备过程为：在氧化物/金属核壳结构量子点上生长Al掺杂n型ZnO薄膜，外延层的厚度约为700nm，其载流子浓度为4.2×10(1)衬底的处理：将P型衬底放入去离子水中，在室温下超声清洗5min，去除P型衬底表面粘污颗粒，再依次经过盐酸、丙酮、乙醇洗涤，去除表面有机物，用高纯干燥氮气吹干，将P型衬底置于真空室中，真空度为8.6×10(2)金属超薄薄膜的制备：在温度为250℃的高真空条件下，真空度为4×10

(3)金属量子点的制备：在温度为800℃的高真空条件下，真空度为8.4×10

(4)金属氧化物壳层的制备：在温度为700℃通入0.004Torr的氧等离子体的条件下，对Pt金属量子点进行氧化处理60min，利用氧化反应在Pt金属量子点外面形成一层均匀的、厚度为2nm的金属氧化物壳层，从而获得了氧化物/金属核壳结构量子点；

所述氧化物/金属核壳结构量子点，包括由下至上依次排列的p型衬底、Pt金属量子点核心以及包覆金属量子点的金属氧化物壳层。