1.一种铜‑陶瓷基板的制备方法，包括以下步骤：

1)制备纳米铜膏：将纳米铜粉、纳米二氧化硅与有机溶剂混合，得到纳米铜膏；

2)表面清洁：将陶瓷基板进行超声清洗10分钟后烘干；

3)涂覆和干燥：将所述纳米铜膏涂覆于陶瓷基板表面，真空干燥后，得到纳米铜膏层；

4)烧结：对涂覆有纳米铜膏层的陶瓷基板进行烧结并冷却；

5)制作线路：在陶瓷基板上涂覆光刻胶，再按照线路进行显影处理，之后进行图形电镀，最后将线路之外的光刻胶去除，就可以获得有线路的陶瓷基板；

6)蚀刻：通过蚀刻工艺去除多余的纳米铜膏层；

7)清洗：将陶瓷基板放入等离子清洗机中清洗，对线路表面进行清洁，得到铜‑陶瓷基板；

所述纳米铜粉的粒径为5～50nm，所述纳米二氧化硅的粒径为5～30nm；

所述纳米铜膏中纳米铜粉的含量为70wt％～85wt％，纳米二氧化硅的含量为1wt％～

5wt％；

所述纳米铜膏层的厚度为0.05～0.5mm；

所述真空干燥时间为10～20min；

所述烧结在氮气的保护气氛下进行，温度为200～4500℃，时间为30～90min；

所述陶瓷基板为氧化铝陶瓷基板或氮化铝陶瓷基板。

2.根据权利要求1所述的铜‑陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为甲苯、二甲苯、甲醇、乙醇、异丙醇、丙二醇、乙醚、丙酮、甲基丁酮、醋酸甲酯和乙酸乙酯中的一种或多种。