1.一种杂化吸附剂吸附分离放射性含钴废水的方法，其特征在于，步骤如下：(1)首先，将放射性含钴废水通入管式膜分离器中，采用错流操作的方式，用颗粒状杂化吸附剂吸附分离放射性废水中的大部分钴离子；

(2)其次，将上述步骤(1)处理后的废水再进行反渗透膜过滤处理；

(3)最后，将上述步骤(2)处理后的放射性含钴废水通入板框式膜分离器中，采用逆流操作的方式，用膜片状杂化吸附剂再进行吸附分离，脱除水中残留的微量钴离子，由此实现脱除放射性废水中的钴离子；

所述杂化吸附剂的制备步骤如下：

①、杂化前驱体的制备

在惰性气氛或空气中，在10～70℃的温度条件下，将正硅酸乙酯(TEOS)按照质量比TEOS：硅烷偶联剂＝1：0.1～10的比例加入到硅烷偶联剂中去，溶解后进行溶胶-凝胶反应1～12h，制备得到杂化前驱体；

②、涂膜液的制备

在50～80g质量百分浓度为3～5％的聚乙烯醇(PVA)水溶液中，加入0.1～5g的上述制备得到的杂化前驱体，室温下再继续反应1～12h，将所得到的物质静置脱泡，即可制备得到所需的涂膜液；

③、杂化吸附剂的制备

将上述静置脱泡后的涂膜液在10～80℃、相对湿度为50％～90％的惰性气氛或空气中干燥1～48h，冷却放置24h后即得到颗粒状的杂化吸附剂；

或者，将上述静置脱泡后的涂膜液直接在支撑体上涂膜至得到膜片，室温下放置24h，将膜片与支撑体分离，然后再将膜片在10～120℃条件下干燥12h，冷却后即得到不带有支撑体的膜片状杂化吸附剂；

或者，将上述静置脱泡所得到的涂膜液在支撑体上涂膜至得到膜片，然后将支撑体和膜片共同在10～120℃条件下干燥3～48h，冷却后即得到带有支撑体的膜片状杂化吸附剂。

2.如权利要求1所述的吸附分离方法，其特征在于，所述膜分离器选自实验室级或工业级，其操作时间为0.5-3h。

3.如权利要求1所述的吸附分离方法，其特征在于，所述反渗透的操作条件为：操作压力≤1.0MPa，0℃≤操作温度≤35℃。

4.如权利要求1所述的吸附分离方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂为N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷A-1100、γ-氨丙基三乙氧基硅烷KH-550中的一种或多种相互混合后所得到的产物。

5.如权利要求1所述的吸附分离方法，其特征在于，所述支撑体选用无纺布、聚乙烯膜、涤纶布、玻璃纤维布或尼龙布。

6.如权利要求1所述的吸附分离方法，其特征在于，所述干燥选用真空干燥、对流干燥、紫外干燥或微波干燥。

7.如权利要求1所述的吸附分离方法，其特征在于，所述涂膜选用流动涂膜、浸渍涂膜、喷洒涂膜、刮膜或旋转涂膜。

8.一种制备用于吸附分离放射性含钴废水杂化吸附剂的方法，其特征在于，步骤如下：①、杂化前驱体的制备

在惰性气氛或空气中，在10～70℃的温度条件下，将正硅酸乙酯(TEOS)按照质量比TEOS：硅烷偶联剂＝1：0.1～10的比例加入到硅烷偶联剂中去，溶解后进行溶胶-凝胶反应1～12h，制备得到杂化前驱体；

②、涂膜液的制备

在50～80g质量百分浓度为3～5％的聚乙烯醇(PVA)水溶液中，加入0.1～5g的上述制备得到的杂化前驱体，室温下再继续反应1～12h，将所得到的物质静置脱泡，即可制备得到所需的涂膜液；

③、杂化吸附剂的制备

将上述静置脱泡后的涂膜液在10～80℃、相对湿度为50％～90％的惰性气氛或空气中干燥1～48h，冷却放置24h后即得到颗粒状的杂化吸附剂；

或者，将上述静置脱泡后的涂膜液直接在支撑体上涂膜至得到膜片，室温下放置24h，将膜片与支撑体分离，然后再将膜片在10～120℃条件下干燥12h，冷却后即得到不带有支撑体的膜片状杂化吸附剂；

或者，将上述静置脱泡所得到的涂膜液在支撑体上涂膜至得到膜片，然后将支撑体和膜片共同在10～120℃条件下干燥3～48h，冷却后即得到带有支撑体的膜片状杂化吸附剂。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂为N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷A-1100、γ-氨丙基三乙氧基硅烷KH-550中的一种或多种相互混合后所得到的产物。

10.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述支撑体选用无纺布、聚乙烯膜、涤纶布、玻璃纤维布或尼龙布。

11.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述干燥选用真空干燥、对流干燥、紫外干燥或微波干燥。

12.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述涂膜选用流动涂膜、浸渍涂膜、喷洒涂膜、刮膜或旋转涂膜。