1.一种灵活多电平无桥功率因数校正变换器的调制方法，灵活多电平无桥功率因数校正变换器包括交流电感部分(110)、电力电子开关网络(120)和直流电容部分(130)；

所述电力电子开关网络(120)包含N沟道MOSFET开关管S1、N沟道MOSFET开关管S2、N沟道MOSFET开关管S3、N沟道MOSFET开关管S4、N沟道MOSFET开关管S5及N沟道MOSFET开关管S6，以及二极管D1和二极管D2；其中，二极管D1阳极连接到N沟道MOSFET开关管S1漏极，N沟道MOSFET开关管S1源极连接到N沟道MOSFET开关管S2漏极，N沟道MOSFET开关管S2源极连接到N沟道MOSFET开关管S4源极；二极管D2阳极连接到N沟道MOSFET开关管S3漏极，N沟道MOSFET开关管S3源极连接到N沟道MOSFET开关管S4漏极；二极管D1阴极连接到二极管D2阴极；N沟道MOSFET开关管S5源极连接到N沟道MOSFET开关管S3源极，N沟道MOSFET开关管S5漏极连接到直流电容部分(130)中点；N沟道MOSFET开关管S6源极连接到N沟道MOSFET开关管S1源极，N沟道MOSFET开关管S6漏极连接到直流电容部分(130)中点；

所述直流电容部分(130)包括两个串联的电容C1和电容C2；其中，电容C1的正极连接到二极管D2的阴极，电容C1的负极连接到电容C2正极、N沟道MOSFET开关管S5漏极和N沟道MOSFET开关管S6漏极的接点；电容C2的负极连接到N沟道MOSFET开关管S2源极和N沟道MOSFET开关管S4源极的接点；

所述交流电感部分(110)包含电感L1和电感L2；其中，电感L1的一端连接于N沟道MOSFET开关管S1漏极和二极管D1阳极的接点，电感L1的另一端连接于Vs的一端，而Vs的另一端连接于电感L2的一端，而电感L2的另一端连接于N沟道MOSFET开关管S3漏极和二极管D2阳极的接点，且电感L1的电感量与电感L2的电感量相等，其中，Vs为电源电压；其特征在于：所述调制方法如下：当电容C1、电容C2电压满足 的条件时，变换器为五电平工作状态；

当电容C1、电容C2电压满足 的条件时，变换器为七电平工作状态；

其中，V0为输出负载RL电压，负载RL的一端连接在C1的正极相连，负载RL的另一端连接在C2的负极相连。

2.根据权利要求1所述灵活多电平无桥功率因数校正变换器的调制方法，其特征在于：

当 控制N沟道MOSFET开关管S1常开通，N沟道MOSFET开关管S3、N沟道MOSFET开关管S4、N沟道MOSFET开关管S5、N沟道MOSFET开关管S6常关断，而N沟道MOSFET开关管S2按PWM规律交替通断；

当 控制N沟道MOSFET开关管S1、N沟道MOSFET开关管S2、N沟道MOSFET开关管S3、N沟道MOSFET开关管S4、N沟道MOSFET开关管S6常关断，而N沟道MOSFET开关管S5按PWM规律交替通断；

当 控制N沟道MOSFET开关管S3常开通，N沟道MOSFET开关管S1、N沟道

MOSFET开关管S2、N沟道MOSFET开关管S5、N沟道MOSFET开关管S6常关断，而N沟道MOSFET开关管S4按PWM规律交替通断；

当 控制N沟道MOSFET开关管S1、N沟道MOSFET开关管S2、N沟道MOSFET开关管S3、N沟道MOSFET开关管S4、N沟道MOSFET开关管S5常关断，而N沟道MOSFET开关管S6按PWM规律交替通断。

3.根据权利要求1所述灵活多电平无桥功率因数校正变换器的调制方法，其特征在于：

当 控制N沟道MOSFET开关管S1常开通，N沟道MOSFET开关管S3、N沟道MOSFET开关管S4、N沟道MOSFET开关管S5、N沟道MOSFET开关管S6常关断，N沟道MOSFET开关管S2按PWM规律交替通断；

当 控制N沟道MOSFET开关管S2、N沟道MOSFET开关管S3、N沟道MOSFET开关管S4、N沟道MOSFET开关管S6常关断，N沟道MOSFET开关管S1、N沟道MOSFET开关管S5按PWM规律交替通断，且N沟道MOSFET开关管S1和N沟道MOSFET开关管S5的栅极驱动波形之间互补；

当 控制N沟道MOSFET开关管S1、N沟道MOSFET开关管S2、N沟道MOSFET开关管S3、N沟道MOSFET开关管S4、N沟道MOSFET开关管S6常关断，N沟道MOSFET开关管S5按PWM规律交替通断；

当 控制N沟道MOSFET开关管S3常开通，N沟道MOSFET开关管S1、N沟道

MOSFET开关管S2、N沟道MOSFET开关管S5、N沟道MOSFET开关管S6常关断，N沟道MOSFET开关管S4按PWM规律交替通断；

当 控制N沟道MOSFET开关管S1、N沟道MOSFET开关管S2、N沟道MOSFET开

关管S4、N沟道MOSFET开关管S5常关断，N沟道MOSFET开关管S3、N沟道MOSFET开关管S6按PWM规律交替通断，且N沟道MOSFET开关管S3和N沟道MOSFET开关管S6的栅极驱动波形之间互补；

当 控制N沟道MOSFET开关管S1、N沟道MOSFET开关管S2、N沟道MOSFET开

关管S3、N沟道MOSFET开关管S4、N沟道MOSFET开关管S5常关断，N沟道MOSFET开关管S6按PWM规律交替通断。