1.一种铁酸铋薄膜，其特征在于，所述铁酸铋薄膜采用电化学沉积的方法制备而成。

2.一种如权利要求1所述的铁酸铋薄膜的制备方法，其特征在于，该方法首先将硝酸铋溶液和硝酸铁溶液配制成电解液，然后经沉积反应得到铁酸铋薄膜。

3.根据权利要求2所述的一种铁酸铋薄膜的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

1）处理ITO基片：将ITO基片清洗干净；

2）配置电解液：将硝酸铋溶液和硝酸铁溶液以2:3的体积比配置成混合溶液，然后加入丙烯酸得到电解液；

3）组装电解池：采用上述电解液于20-40℃的水浴内，并将处理好的ITO基片和铂电极以及Ag/Cl参比电极放置在电解池中；

4）采用恒电位极化：采用的电位范围为-0.7 -0.2V；

~

5) 沉积铁酸铋薄膜：用控制变量的方法，控制电解液的浓度、pH、温度、电位和沉积时间，在ITO基片上沉积得到铁酸铋薄膜。

4.根据权利要求2或3所述的一种铁酸铋薄膜的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

1)处理ITO基片：清洗基片表面的杂质及污染物，确保基片保持干净无污染；

2)配制电解液：取6 25ml浓度为0.001 0.1mol/L的硝酸铋溶液和6 25ml浓度为0.001~ ~ ~ ~

0.1 mol/L的硝酸铁溶液，使得硝酸铋溶液和硝酸铁溶液的体积比为2：3，得到混合溶液，并向混合溶液中加入冰乙酸得到电解液；

3) 组装电解池：将电解液置于于电解池中，将电解池置于恒温水浴锅内，把水浴锅的温度设为20 40℃，再把处理好的基片和铂电极以及Ag/Cl参比电极以垂直的角度放置在电~解池中；确保基片浸入电解液的面积是1×2cm2，基片的导电面与铂电极平行相对，间距为1 cm，然后把电化学工作站与电解池连接；

4) 采用恒电位极化：电位范围为-0.7 -0.2V；

~

5) 沉积铁酸铋薄膜：用控制变量的方法，控制电解液的浓度为0.001 0.1 mol/L、pH为~

1 3、温度为20 40℃、电位为-0.7 -0.2V和沉积时间为300 2000 s，在基片上沉积得到铁酸~ ~ ~ ~铋薄膜。

5.根据权利要求2或3所述的一种铁酸铋薄膜的制备方法，其特征在于，所述冰乙酸的加入量为1 10ml。

~

6.根据权利要求2或3所述的一种铁酸铋薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2)最后还加入1～3克聚乙烯吡咯烷酮。

7.根据权利要求6所述的一种铁酸铋薄膜的制备方法，其特征在于，所述聚乙烯吡咯烷酮为聚乙烯吡咯烷酮K90或聚乙烯吡咯烷酮K30。

8.根据权利要求2或3所述的一种铁酸铋薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中还加入乙醇或丙酮溶液，加入量为2-5ml。

9.根据权利要求2或3所述的一种铁酸铋薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤4) 采用恒电位极化：具体为循环伏安曲线法，将计算机上CorrTestTM的测试方法设置成循环伏安曲线法，开始进行循环伏安的扫描，得到扫描曲线；确定实验成膜的电位范围为-0.7 -~

0.2V。